Fotoemise z valenčního pásu GaAs(100)-c(4X4) připraveného in-situ

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F06%3A00041322" target="_blank" >RIV/68378271:_____/06:00041322 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Valence band photoemission from in-situ grown GaAs(100)-c(4 × 4)
Popis výsledku v původním jazyce
In contrast to earlier measurements of thos kind, two major differences have been found:(i) clearly developed surface state peak just below the top of the valence band, (ii) absence of a large peak in the electron energy distribution at around - 6.5 eV below the valence band top
Název v anglickém jazyce
Valence band photoemission from in-situ grown GaAs(100)-c(4 × 4)
Popis výsledku anglicky
In contrast to earlier measurements of thos kind, two major differences have been found:(i) clearly developed surface state peak just below the top of the valence band, (ii) absence of a large peak in the electron energy distribution at around - 6.5 eV below the valence band top

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
<a href="/cs/project/GA202%2F04%2F0994" target="_blank" >GA202/04/0994: Krystalografie, elektronová a magnetická struktura povrchů nanovrstev GaAs připravených nízkoteplotní molekulární epitaxí</a><br>
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)