Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Vysoce účinné detektory alfa částic na bázi SI InP dopované Ti a Zn

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F08%3A00323029" target="_blank" >RIV/68378271:_____/08:00323029 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/67985882:_____/08:00323029

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    High detection performance of particle detectors based on SI InP doped with Ti and Zn

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this work, we present results of measurements of spectra of alpha-particles carried out on semi-insulating (SI) InP detectors. The detectors were fabricated from Ti and Zn co-doped SI InP crystals grown by Czochralski technique. Excellent detectors performance has been evaluated by values of charge collection efficiency 99% and energy resolution 1% obtained from the spectra measured at 230 K. Such high performance can be explained by InP doping with suitable Ti atoms and co-doping with low concentration of Zn acceptors sufficient for the full compensation of shallow donors, to reach SI properties. Excellent detector performance and high electron mobility makes the reported InP material promising to be used for the detection of X-rays and radiation.

  • Název v anglickém jazyce

    High detection performance of particle detectors based on SI InP doped with Ti and Zn

  • Popis výsledku anglicky

    In this work, we present results of measurements of spectra of alpha-particles carried out on semi-insulating (SI) InP detectors. The detectors were fabricated from Ti and Zn co-doped SI InP crystals grown by Czochralski technique. Excellent detectors performance has been evaluated by values of charge collection efficiency 99% and energy resolution 1% obtained from the spectra measured at 230 K. Such high performance can be explained by InP doping with suitable Ti atoms and co-doping with low concentration of Zn acceptors sufficient for the full compensation of shallow donors, to reach SI properties. Excellent detector performance and high electron mobility makes the reported InP material promising to be used for the detection of X-rays and radiation.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/KAN400670651" target="_blank" >KAN400670651: Výzkum rozhraní kovových nanočástic s InP pro monitoring nežádoucích látek, plynů a záření v životním prostředí</a><br>

  • Návaznosti

    P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2008

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    IEEE Transactions on Nuclear Science

  • ISSN

    0018-9499

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    55

  • Číslo periodika v rámci svazku

    5

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000262015800030

  • EID výsledku v databázi Scopus