High photocarrier mobility in ultrafast ion-irradiated In0.53Ga0.47As
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00330267" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00330267 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
High photocarrier mobility in ultrafast ion-irradiated In0.53Ga0.47As
Popis výsledku v původním jazyce
Optical pump?terahertz probe spectroscopy was used for investigation of electron dynamics in In0.53Ga0.47As films irradiated by heavy ions (Br+) at doses from 10^9 to 10^12 cm^-2. From the transient conductivity spectra, photoexcited electron lifetimes and mobilities were determined; their decrease is observed upon increase of the irradiation dose. At the highest dose, the material combines an electron lifetime of 0.46 ps with an exceptionally high photoexcited electron mobility of 3600 cm2V?1s?1. Thislast value is even higher than those reported for low-temperature-grown GaAs with similar electron lifetime. Due to its rather low band gap heavy-ion irradiated IIn0.53Ga0.47As shows promising properties for the development of THz systems using telecommunication based technology.
Název v anglickém jazyce
High photocarrier mobility in ultrafast ion-irradiated In0.53Ga0.47As
Popis výsledku anglicky
Optical pump?terahertz probe spectroscopy was used for investigation of electron dynamics in In0.53Ga0.47As films irradiated by heavy ions (Br+) at doses from 10^9 to 10^12 cm^-2. From the transient conductivity spectra, photoexcited electron lifetimes and mobilities were determined; their decrease is observed upon increase of the irradiation dose. At the highest dose, the material combines an electron lifetime of 0.46 ps with an exceptionally high photoexcited electron mobility of 3600 cm2V?1s?1. Thislast value is even higher than those reported for low-temperature-grown GaAs with similar electron lifetime. Due to its rather low band gap heavy-ion irradiated IIn0.53Ga0.47As shows promising properties for the development of THz systems using telecommunication based technology.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2009
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Physics D-Applied Physics
ISSN
0022-3727
e-ISSN
—
Svazek periodika
42
Číslo periodika v rámci svazku
19
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000269993100029
EID výsledku v databázi Scopus
—