Ultrafast carrier response of Br+ -irradiated In0.53Ga0.47As excitedat telecommunication wavelengths

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00377890" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00377890 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/67985882:_____/12:00377890 RIV/44555601:13440/12:43883972

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4709441" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4709441</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4709441" target="_blank" >10.1063/1.4709441</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ultrafast carrier response of Br+ -irradiated In0.53Ga0.47As excitedat telecommunication wavelengths

Popis výsledku v původním jazyce

We present results of infrared pump-terahertz probe experiments applied to a set of In0.53Ga0.47As films irradiated with heavy ions (Br+). Photoexcitation at 1400 nm (0.89 eV) allowed us to characterize the response close to telecommunications' wavelengths whilst avoiding the intervalley carrier scattering observed when a shorter wavelength excitation is used. The lifetimes and mobilities of both electrons and holes were retrieved, and the trap filling and carrier diffusion were clearly observed. The In0.53Ga0.47As film irradiated by the dose of 1012 cm-2 exhibits simultaneously ultrashort electron lifetime (300 fs) and very high electron mobility (2800 cm2V-11s-1). These findings are particularly important for the design of terahertz emitters controlled by lasers operating at standard telecommunication wavelengths.

Název v anglickém jazyce

Ultrafast carrier response of Br+ -irradiated In0.53Ga0.47As excitedat telecommunication wavelengths

Popis výsledku anglicky

We present results of infrared pump-terahertz probe experiments applied to a set of In0.53Ga0.47As films irradiated with heavy ions (Br+). Photoexcitation at 1400 nm (0.89 eV) allowed us to characterize the response close to telecommunications' wavelengths whilst avoiding the intervalley carrier scattering observed when a shorter wavelength excitation is used. The lifetimes and mobilities of both electrons and holes were retrieved, and the trap filling and carrier diffusion were clearly observed. The In0.53Ga0.47As film irradiated by the dose of 1012 cm-2 exhibits simultaneously ultrashort electron lifetime (300 fs) and very high electron mobility (2800 cm2V-11s-1). These findings are particularly important for the design of terahertz emitters controlled by lasers operating at standard telecommunication wavelengths.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Applied Physics

ISSN

0021-8979

e-ISSN

—

Svazek periodika

111

Číslo periodika v rámci svazku

9

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

"093721-1"-"093721-8"

Kód UT WoS článku

000304109900070

EID výsledku v databázi Scopus

—