Ultrarychlá dynamika nositelů náboje v InP bombardovaném Br+ studovaná pomocí časově rozlišené terahertzové spektroskopie]
Popis výsledku
Ultrarychlá dynamika nositelů náboje v InP bombardovaném ionty Br byla studována pomocí časově rozlišené terahertzové spektroskopie. Doby života a pohyblivosti nositelů byly určeny ve různých vzorcích lišících se intenzitou ozáření ionty Br v intervalu 109 up to 1012 cm-2. Doba života fotoexcitovaných nositelů je určena především hustotou defektů vzniklých posunutím atomů hostitelské matrice a není ovlivněna přítomností atomů Br. V nejvíce ozářeném vzorku byla zjištěna doba života 300 fs. Všechny vzorkyse vyznačují poměrně vysokou pohyblivostí nositelů (3000-900 cm2/Vs). Pro vybrané vzorky byla určena hustota pastí a doby života elektronů i děr.
Klíčová slova
InPcarrier lifetimecarrier mobilityultrafastion-bombardmentterahertz
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Ultrafast carrier dynamics in Br+-bombarded InP studied by time-resolved terahertz spectroscopy
Popis výsledku v původním jazyce
Ultrafast dynamics of charge carriers in Br+-bombarded InP were studied using time-resolved terahertz spectroscopy. Carrier lifetimes and mobilities in various samples prepared with irradiation doses spanning from 109 up to 1012 cm-2 were determined. Thelifetime of photoexcited carriers appears to be determined primarily by the density of defects resulting from host-atom displacements while it is not significantly influenced by the Br-atom implantation. In the most irradiated sample, a carrier lifetimeas short as 300 fs was found. All samples exhibit a high mobility (3000-900 cm2/Vs). In selected samples, the density of traps along with electron and hole lifetimes was determined.
Název v anglickém jazyce
Ultrafast carrier dynamics in Br+-bombarded InP studied by time-resolved terahertz spectroscopy
Popis výsledku anglicky
Ultrafast dynamics of charge carriers in Br+-bombarded InP were studied using time-resolved terahertz spectroscopy. Carrier lifetimes and mobilities in various samples prepared with irradiation doses spanning from 109 up to 1012 cm-2 were determined. Thelifetime of photoexcited carriers appears to be determined primarily by the density of defects resulting from host-atom displacements while it is not significantly influenced by the Br-atom implantation. In the most irradiated sample, a carrier lifetimeas short as 300 fs was found. All samples exhibit a high mobility (3000-900 cm2/Vs). In selected samples, the density of traps along with electron and hole lifetimes was determined.
Klasifikace
Druh
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
LC512: Centrum biomolekul a komplexních molekulových systémů
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physical Review. B
ISSN
1098-0121
e-ISSN
—
Svazek periodika
78
Číslo periodika v rámci svazku
23
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000262245400060
EID výsledku v databázi Scopus
—
Základní informace
Druh výsledku
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění
2008