Dynamika nositelů v GaAs pěstovaném za nízkých teplot studovaná pomocí THz emisní spektroskopie

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F03%3A00101805" target="_blank" >RIV/68378271:_____/03:00101805 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by THz emission spectroscopy
Popis výsledku v původním jazyce
Low-temperature grown GaAs exhibits sub-ps carrier lifetimes. Both the carrier lifetime and the carrier mobility were determined for a series of samples grown at several temperatures
Název v anglickém jazyce
Carrier dynamics in low-temperature grown GaAs studied by THz emission spectroscopy
Popis výsledku anglicky
Low-temperature grown GaAs exhibits sub-ps carrier lifetimes. Both the carrier lifetime and the carrier mobility were determined for a series of samples grown at several temperatures

Projekt
<a href="/cs/project/LN00A032" target="_blank" >LN00A032: Struktura a dynamika komplexních molekulových systémů a biomolekul</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2003
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku
Proceegings of International Meeting on Infrared and Millimeter Waves /26./
ISBN
2-87649-035-8
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
—
Název nakladatele
LNCMP
Místo vydání
Toulouse
Místo konání akce
Toulouse
Datum konání akce
10. 9. 2001
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—

Podobné výsledky(10)