A Note on Non-Uniform Recombination in Large Area Silicon Devices

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F09%3A00161241" target="_blank" >RIV/68407700:21230/09:00161241 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

A Note on Non-Uniform Recombination in Large Area Silicon Devices

Popis výsledku v původním jazyce

This paper discusses the influence of carrier lifetime inhomogeneous distribution on device characteristics. There is also a discussion of monitoring methods measuring carrier lifetime distribution both in starting single crystal material and in device structures after high-temperature processes and technological tools for structure homogenisation.

Název v anglickém jazyce

A Note on Non-Uniform Recombination in Large Area Silicon Devices

Popis výsledku anglicky

This paper discusses the influence of carrier lifetime inhomogeneous distribution on device characteristics. There is also a discussion of monitoring methods measuring carrier lifetime distribution both in starting single crystal material and in device structures after high-temperature processes and technological tools for structure homogenisation.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

The Physics of Semiconductor Devices: Technical Digest

ISBN

978-93-80043-60-9

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

—

Název nakladatele

EXCEL INDIA PUBLISHERS

Místo vydání

New Delhi-110067

Místo konání akce

New Delhi

Datum konání akce

15. 12. 2009

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—