Monitorování rozložení doby života nosičů v technologii výkonových polovodičových součástek

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F08%3A03147139" target="_blank" >RIV/68407700:21230/08:03147139 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Monitoring of carrier lifetime distribution in high power semiconductor device technology

Popis výsledku v původním jazyce

Non-uniform distribution of carrier lifetime over the area of power bipolar semiconductor devices results in a non-uniform distribution of on-state current density and switching loses. Consequently, it results in non-uniform temperature distribution which can negatively influence the device reliability. Several methods can be used for measuring carrier lifetime distribution both in starting single crystal material and in device structures after high-temperature processes. Advantages and disadvantages ofindividual methods and an optimum area of applications are discussed in this paper. This paper is mostly oriented on a possibility to use LBIC method for measuring carrier lifetime distribution in the bulk of high voltage large area devices, especiallyN+NPP+ diode structures.

Název v anglickém jazyce

Monitoring of carrier lifetime distribution in high power semiconductor device technology

Popis výsledku anglicky

Non-uniform distribution of carrier lifetime over the area of power bipolar semiconductor devices results in a non-uniform distribution of on-state current density and switching loses. Consequently, it results in non-uniform temperature distribution which can negatively influence the device reliability. Several methods can be used for measuring carrier lifetime distribution both in starting single crystal material and in device structures after high-temperature processes. Advantages and disadvantages ofindividual methods and an optimum area of applications are discussed in this paper. This paper is mostly oriented on a possibility to use LBIC method for measuring carrier lifetime distribution in the bulk of high voltage large area devices, especiallyN+NPP+ diode structures.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2008

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Microelectronics Journal

ISSN

0026-2692

e-ISSN

—

Svazek periodika

39

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000256982500006

EID výsledku v databázi Scopus

—