Monitorování rozložení doby života nosičů v technologii výkonových polovodičových součástek
Popis výsledku
Nehomogenní rozložení doby života nosičů ve strukturách výkonových polovodičových součástek nepříznivě ovlivňuje paranetry součástek a může nepříznivě ovlivnit jejich spolehlivost. V článku jsou diskutovány možnosti různých metod stanovení rozložení dobyživota nosičů, jejicj výhody i nevýhody. Podrobně je diskutována možnost použití metoda LBIC pro měření rozložení doby života nosičů v objemu vysokonapěťových součástek, zejména N+NPNP+ diod
Klíčová slova
LBIC methodcarrier lifetimediagnosticshomogeneitypower semiconductor devices
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Monitoring of carrier lifetime distribution in high power semiconductor device technology
Popis výsledku v původním jazyce
Non-uniform distribution of carrier lifetime over the area of power bipolar semiconductor devices results in a non-uniform distribution of on-state current density and switching loses. Consequently, it results in non-uniform temperature distribution which can negatively influence the device reliability. Several methods can be used for measuring carrier lifetime distribution both in starting single crystal material and in device structures after high-temperature processes. Advantages and disadvantages ofindividual methods and an optimum area of applications are discussed in this paper. This paper is mostly oriented on a possibility to use LBIC method for measuring carrier lifetime distribution in the bulk of high voltage large area devices, especiallyN+NPP+ diode structures.
Název v anglickém jazyce
Monitoring of carrier lifetime distribution in high power semiconductor device technology
Popis výsledku anglicky
Non-uniform distribution of carrier lifetime over the area of power bipolar semiconductor devices results in a non-uniform distribution of on-state current density and switching loses. Consequently, it results in non-uniform temperature distribution which can negatively influence the device reliability. Several methods can be used for measuring carrier lifetime distribution both in starting single crystal material and in device structures after high-temperature processes. Advantages and disadvantages ofindividual methods and an optimum area of applications are discussed in this paper. This paper is mostly oriented on a possibility to use LBIC method for measuring carrier lifetime distribution in the bulk of high voltage large area devices, especiallyN+NPP+ diode structures.
Klasifikace
Druh
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Microelectronics Journal
ISSN
0026-2692
e-ISSN
—
Svazek periodika
39
Číslo periodika v rámci svazku
6
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000256982500006
EID výsledku v databázi Scopus
—
Základní informace
Druh výsledku
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
Rok uplatnění
2008