Není k dispozici

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F05%3A03108842" target="_blank" >RIV/68407700:21230/05:03108842 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

OCVD Carrier Lifetime Measurements on Diode Structures with Non-Uniform Distribution of Recombination Centres

Popis výsledku v původním jazyce

This paper investigates the problem of evaluating the lifetime of a carrier measured by the OCVD method on structures with a non-uniform carrier lifetime distribution, both axial and radial.

Název v anglickém jazyce

OCVD Carrier Lifetime Measurements on Diode Structures with Non-Uniform Distribution of Recombination Centres

Popis výsledku anglicky

This paper investigates the problem of evaluating the lifetime of a carrier measured by the OCVD method on structures with a non-uniform carrier lifetime distribution, both axial and radial.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2005

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

MICROTHERM 2005

ISBN

83-919353-9-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

67-74

Název nakladatele

TU of Lodz

Místo vydání

Lodž

Místo konání akce

Lodž

Datum konání akce

19. 6. 2005

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—