OCVD doba života v P+NN+ diodové struktuře s axiálním gradientem doby života

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F06%3A03117564" target="_blank" >RIV/68407700:21230/06:03117564 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
OCVD Carrier Lifetime in P+NN+ Diode Structures With Axial Carrier Lifetime Gradient
Popis výsledku v původním jazyce
The paper deals with OCVD Carrier Lifetime in P+NN+ diode structures with axial carrier lifetime gradient. Theoretically and experimentally is evaluated influence of carrier lifetime gradient on voltage courses during OCVD measurement and on the resulting carrier lifetime.
Název v anglickém jazyce
OCVD Carrier Lifetime in P+NN+ Diode Structures With Axial Carrier Lifetime Gradient
Popis výsledku anglicky
The paper deals with OCVD Carrier Lifetime in P+NN+ diode structures with axial carrier lifetime gradient. Theoretically and experimentally is evaluated influence of carrier lifetime gradient on voltage courses during OCVD measurement and on the resulting carrier lifetime.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—

Rok uplatnění
2006
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika
Microelectronics Journal
ISSN
0026-2692
e-ISSN
—
Svazek periodika
2006
Číslo periodika v rámci svazku
37
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
217-222
Kód UT WoS článku
—
EID výsledku v databázi Scopus
—

Podobné výsledky(10)