Není k dispozici
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F04%3A03099485" target="_blank" >RIV/68407700:21230/04:03099485 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
OCVD Carrier Lifetime in Diode Structutes with Axial Carrier Lifetime Gradient
Popis výsledku v původním jazyce
The OCVD (open circuit voltage decay) method is generally used method for determination carrier lifetime in structures of semiconductor devices.
Název v anglickém jazyce
OCVD Carrier Lifetime in Diode Structutes with Axial Carrier Lifetime Gradient
Popis výsledku anglicky
The OCVD (open circuit voltage decay) method is generally used method for determination carrier lifetime in structures of semiconductor devices.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2004
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
7th International Seminar on Power Semiconductor
ISBN
80-01-03046-6
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
201-205
Název nakladatele
Ediční středisko ČVUT
Místo vydání
Praha
Místo konání akce
Praha
Datum konání akce
31. 8. 2004
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—