Monitoring of Carrier Lifetime Distribution in Technology of High Power Semiconductor Devices

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21230%2F06%3A00121721" target="_blank" >RIV/68407700:21230/06:00121721 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Monitoring of Carrier Lifetime Distribution in Technology of High Power Semiconductor Devices

Popis výsledku v původním jazyce

Non-uniform distribution of carrier lifetime over the area of power bipolar semiconductor devices results in a non-uniform distribution of on-state current density and switching loses. The paper describes a simple method for determining the carrier lifetime distribution in structures of power diodes.

Název v anglickém jazyce

Monitoring of Carrier Lifetime Distribution in Technology of High Power Semiconductor Devices

Popis výsledku anglicky

Non-uniform distribution of carrier lifetime over the area of power bipolar semiconductor devices results in a non-uniform distribution of on-state current density and switching loses. The paper describes a simple method for determining the carrier lifetime distribution in structures of power diodes.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JA - Elektronika a optoelektronika, elektrotechnika

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2006

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

ISPS 06 Proceedings

ISBN

80-01-03524-7

ISSN

1751-858X

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

—

Název nakladatele

Ediční středisko ČVUT

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

29. 8. 2006

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—