Heterogeneous nucleation and adatom detachment at one-dimensional growth of In on Si(100)-2 x 1

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00331417" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00331417 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Heterogeneous nucleation and adatom detachment at one-dimensional growth of In on Si(100)-2 x 1

Popis výsledku v původním jazyce

Growth of atomic indium chains - 1D islands - on the Si(100)-2x1 surface was observed by scanning tunneling microscopy at room temperature and simulated by means of a kinetic Monte Carlo method. Density of indium islands and island size distribution wereobtained for various deposition rates and coverage. Important role of C-type defects at adsorption of metal atoms was observed. Measured growth characteristics were simulated using a microscopic model with anisotropic surface diffusion and forbidden zones along the metal chains. An analysis of experimental and simulation data shows that detachment of indium adatoms from the chains substantially influences a growth scenario and results in monotonously decreasing chain length distribution function at lowcoverage. Diffusion barriers determined from the simulations correspond to almost isotropic diffusion of indium adatoms on the surface.

Název v anglickém jazyce

Heterogeneous nucleation and adatom detachment at one-dimensional growth of In on Si(100)-2 x 1

Popis výsledku anglicky

Growth of atomic indium chains - 1D islands - on the Si(100)-2x1 surface was observed by scanning tunneling microscopy at room temperature and simulated by means of a kinetic Monte Carlo method. Density of indium islands and island size distribution wereobtained for various deposition rates and coverage. Important role of C-type defects at adsorption of metal atoms was observed. Measured growth characteristics were simulated using a microscopic model with anisotropic surface diffusion and forbidden zones along the metal chains. An analysis of experimental and simulation data shows that detachment of indium adatoms from the chains substantially influences a growth scenario and results in monotonously decreasing chain length distribution function at lowcoverage. Diffusion barriers determined from the simulations correspond to almost isotropic diffusion of indium adatoms on the surface.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GA202%2F06%2F0049" target="_blank" >GA202/06/0049: Studium atomárních procesů při růstu kovových nanostruktur na površích Si(100) pomocí in-vivo STM</a><br>

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review. B

ISSN

1098-0121

e-ISSN

—

Svazek periodika

79

Číslo periodika v rámci svazku

16

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

9

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000265945200102

EID výsledku v databázi Scopus

—