LiF enhanced nucleation of the low temperature microcrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F09%3A00336628" target="_blank" >RIV/68378271:_____/09:00336628 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

LiF enhanced nucleation of the low temperature microcrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition

Popis výsledku v původním jazyce

Lithium fluoride (Lif) thin film evaporated on glass substrate is shown to enhance the nucleation of microcrystalline Si grown by plasma enhanced chemical vapour deposition at the amorphous/microcrystalline boundary conditions.

Název v anglickém jazyce

LiF enhanced nucleation of the low temperature microcrystalline silicon prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition

Popis výsledku anglicky

Lithium fluoride (Lif) thin film evaporated on glass substrate is shown to enhance the nucleation of microcrystalline Si grown by plasma enhanced chemical vapour deposition at the amorphous/microcrystalline boundary conditions.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2009

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

517

Číslo periodika v rámci svazku

24

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000270410800063

EID výsledku v databázi Scopus

—