Optical modeling of microcrystalline silicon deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition on low-cost iron-nickel substrates for photovoltaic applications

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61989100%3A27640%2F16%3A86098477" target="_blank" >RIV/61989100:27640/16:86098477 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211812816000328" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2211812816000328</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.mspro.2016.03.023" target="_blank" >10.1016/j.mspro.2016.03.023</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Optical modeling of microcrystalline silicon deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition on low-cost iron-nickel substrates for photovoltaic applications

Popis výsledku v původním jazyce

This paper deals with the optical modeling of thin hydrogenated microcrystalline silicon films grown on flexible low-cost iron-nickel alloy substrates by low-temperature (175 degrees C) plasma-enhanced chemical vapor deposition. This material serves as the absorber in solar cells and hence it has direct impact on the resulting solar cell performance. Since the crystallinity and the material quality of hydrogenated microcrystalline silicon films evolve during the growth, the deposited film is inhomogeneous, with a rather complex structure. Real-time spectroscopic ellipsometry has been used to trace the changing composition of the films. In-situ ellipsometric data taken for photon energies from 2.8 to 4.5 eV every 50 seconds enabled us to study the evolution of the monocrystalline silicon fraction of the hydrogenated microcrystalline silicon films.

Název v anglickém jazyce

Optical modeling of microcrystalline silicon deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition on low-cost iron-nickel substrates for photovoltaic applications

Popis výsledku anglicky

This paper deals with the optical modeling of thin hydrogenated microcrystalline silicon films grown on flexible low-cost iron-nickel alloy substrates by low-temperature (175 degrees C) plasma-enhanced chemical vapor deposition. This material serves as the absorber in solar cells and hence it has direct impact on the resulting solar cell performance. Since the crystallinity and the material quality of hydrogenated microcrystalline silicon films evolve during the growth, the deposited film is inhomogeneous, with a rather complex structure. Real-time spectroscopic ellipsometry has been used to trace the changing composition of the films. In-situ ellipsometric data taken for photon energies from 2.8 to 4.5 eV every 50 seconds enabled us to study the evolution of the monocrystalline silicon fraction of the hydrogenated microcrystalline silicon films.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BH - Optika, masery a lasery

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>S - Specificky vyzkum na vysokych skolach

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Procedia Materials Science. Volume 12

ISBN

—

ISSN

2211-8128

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

130-135

Název nakladatele

Elsevier

Místo vydání

Amsterdam

Místo konání akce

Ostrava

Datum konání akce

8. 9. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000386622900023