Degradation Study of Microcrystalline Silicon

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F03%3A04092642" target="_blank" >RIV/68407700:21340/03:04092642 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Degradation Study of Microcrystalline Silicon

Popis výsledku v původním jazyce

Microcrystalline silicon has been suggested as an optimal low-gap material for tandem solar cells with amorphous hydrogenated silicon. As a big difference between the material properties of amorphous and microcrystalline silicon, the latter has been considered to be stable with no degradation effect observed so far on solar cells. On the other hand, most of the research teams working in the area of ?c-Si:H deposition and characterisation have already found that "optimal" microcrystalline silicon structure for solar cells is deposited close to the amorphous - microcrystalline transition. Substantial amorphous fraction in these films leads to the question whether such material is really stable.

Název v anglickém jazyce

Degradation Study of Microcrystalline Silicon

Popis výsledku anglicky

Microcrystalline silicon has been suggested as an optimal low-gap material for tandem solar cells with amorphous hydrogenated silicon. As a big difference between the material properties of amorphous and microcrystalline silicon, the latter has been considered to be stable with no degradation effect observed so far on solar cells. On the other hand, most of the research teams working in the area of ?c-Si:H deposition and characterisation have already found that "optimal" microcrystalline silicon structure for solar cells is deposited close to the amorphous - microcrystalline transition. Substantial amorphous fraction in these films leads to the question whether such material is really stable.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Abstracts of the ICAMS 20th - Science and Technology

ISBN

—

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

1

Strana od-do

64-64

Název nakladatele

Brasilian Microelectronics Society

Místo vydání

Sao Paulo

Místo konání akce

Campos do Jordao

Datum konání akce

25. 8. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—