Polycrystalline Silicon Thin Film Solar Cells Produced by Pulsed Laser Processing: Computational Optimization of the Production Process

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21110%2F03%3A01086223" target="_blank" >RIV/68407700:21110/03:01086223 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Polycrystalline Silicon Thin Film Solar Cells Produced by Pulsed Laser Processing: Computational Optimization of the Production Process

Popis výsledku v původním jazyce

Recently, low cost crystalline silicon thin film solar cells on a glass substrate find growing interest as an alternative to amorphous silicon solar cells. The highest effort has been devoted to micromorphous and to quasicrystalline cells. For both an efficiency of up to 10% has been demonstrated. For micromorphous cells a fine grained silicon layer is deposited by choosing appropriate deposition conditions. For quasicrystalline cells a thin single crystalline sheet is removed from a wafer and pasted onto the glass substrate. A further method for preparing crystalline silicon layers on glass is to deposit amorphous silicon followed by laser induced crystallization. In this paper a computer simulation study is presented devoted to the evaluation of optimal layer as well as optimal laser parameters

Název v anglickém jazyce

Polycrystalline Silicon Thin Film Solar Cells Produced by Pulsed Laser Processing: Computational Optimization of the Production Process

Popis výsledku anglicky

Recently, low cost crystalline silicon thin film solar cells on a glass substrate find growing interest as an alternative to amorphous silicon solar cells. The highest effort has been devoted to micromorphous and to quasicrystalline cells. For both an efficiency of up to 10% has been demonstrated. For micromorphous cells a fine grained silicon layer is deposited by choosing appropriate deposition conditions. For quasicrystalline cells a thin single crystalline sheet is removed from a wafer and pasted onto the glass substrate. A further method for preparing crystalline silicon layers on glass is to deposit amorphous silicon followed by laser induced crystallization. In this paper a computer simulation study is presented devoted to the evaluation of optimal layer as well as optimal laser parameters

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

JJ - Ostatní materiály

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/ME%20370" target="_blank" >ME 370: Vliv koncentrace příměsí na laserovou krystalizaci amorfního křemíku</a><br>

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2003

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of Workshop 2003

ISBN

80-01-02708-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

2

Strana od-do

518-519

Název nakladatele

ČVUT

Místo vydání

Praha

Místo konání akce

Praha

Datum konání akce

10. 2. 2003

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—