Profilometry of thin films on rough substrates by Raman spectroscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F16%3A00469174" target="_blank" >RIV/68378271:_____/16:00469174 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1038/srep37859" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1038/srep37859</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1038/srep37859" target="_blank" >10.1038/srep37859</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Profilometry of thin films on rough substrates by Raman spectroscopy

Popis výsledku v původním jazyce

Thin, light-absorbing films attenuate the Raman signal of underlying substrates. In this article, we exploit this phenomenon to develop a contactless thickness profiling method for thin films deposited on rough substrates. We demonstrate this technique by probing profiles of thin amorphous silicon stripes deposited on rough crystalline silicon surfaces, which is a structure exploited in high-efficiency silicon heterojunction solar cells. Our spatially-resolved Raman measurements enable the thickness mapping of amorphous silicon over the active area of solar cells with very high precision; the thickness detection limit is well below 1 nm and the spatial resolution is down to 500 nm, limited only by the optical resolution. We also discuss the wider applicability of this technique for the characterization of thin layers prepared on Raman/photoluminescence-active substrates, as well as its use for single-layer counting in multilayer 2D materials such as graphene, MoS2 and WS2.

Název v anglickém jazyce

Profilometry of thin films on rough substrates by Raman spectroscopy

Popis výsledku anglicky

Thin, light-absorbing films attenuate the Raman signal of underlying substrates. In this article, we exploit this phenomenon to develop a contactless thickness profiling method for thin films deposited on rough substrates. We demonstrate this technique by probing profiles of thin amorphous silicon stripes deposited on rough crystalline silicon surfaces, which is a structure exploited in high-efficiency silicon heterojunction solar cells. Our spatially-resolved Raman measurements enable the thickness mapping of amorphous silicon over the active area of solar cells with very high precision; the thickness detection limit is well below 1 nm and the spatial resolution is down to 500 nm, limited only by the optical resolution. We also discuss the wider applicability of this technique for the characterization of thin layers prepared on Raman/photoluminescence-active substrates, as well as its use for single-layer counting in multilayer 2D materials such as graphene, MoS2 and WS2.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Scientific Reports

ISSN

2045-2322

e-ISSN

—

Svazek periodika

6

Číslo periodika v rámci svazku

Dec

Stát vydavatele periodika

GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

—

Kód UT WoS článku

000389373900001

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85003454609