Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs with a new contact metallization: indication of 2DEG formed at the M-S interface

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00349314" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00349314 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs with a new contact metallization: indication of 2DEG formed at the M-S interface

Popis výsledku v původním jazyce

SI GaAs based photodetectors were studied by photocurrent and current-voltage methods. Features observed in photocurrent spectra of the detectors with Gd top contact indicate special properties of this kind of the metallization and, possibly, a formationof 2D system near the contact.

Název v anglickém jazyce

Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs with a new contact metallization: indication of 2DEG formed at the M-S interface

Popis výsledku anglicky

SI GaAs based photodetectors were studied by photocurrent and current-voltage methods. Features observed in photocurrent spectra of the detectors with Gd top contact indicate special properties of this kind of the metallization and, possibly, a formationof 2D system near the contact.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

APCOM 2010

ISBN

978-80-227-3307-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

—

Název nakladatele

Slovak University of Technology

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Malá Lučivná

Datum konání akce

16. 6. 2010

Typ akce podle státní příslušnosti

EUR - Evropská akce

Kód UT WoS článku

—