Photocurrent spectra of semi-insulating GaAs M/S/M diodes: Role of the contacts

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F61988987%3A17310%2F16%3AA1701J9Z" target="_blank" >RIV/61988987:17310/16:A1701J9Z - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68378271:_____/16:00458953

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Photocurrent spectra of semi-insulating GaAs M/S/M diodes: Role of the contacts

Popis výsledku v původním jazyce

Current?voltage (I?V) characteristics and photocurrent (PC) spectra (600?1000 nm) of the metal?semiconductor?metal (M?S?M) structures based on high-quality undoped semi-insulating (SI) GaAs with AuGeNi backside contact and different semitransparent top contacts (AuGeNi, Pt, Gd and Nd) are reported, and analysed with the help of a simple physical model. It is shown that the dominant peak in the PC spectra and the change of photocurrent sign can be explained by a presence of two Schottky-like barriers at the top and bottom surfaces. In addition, I?V and PC results show dependence on the bias and its polarity, and on the contact metal used. The possible origins of these effects are discussed.

Název v anglickém jazyce

Photocurrent spectra of semi-insulating GaAs M/S/M diodes: Role of the contacts

Popis výsledku anglicky

Current?voltage (I?V) characteristics and photocurrent (PC) spectra (600?1000 nm) of the metal?semiconductor?metal (M?S?M) structures based on high-quality undoped semi-insulating (SI) GaAs with AuGeNi backside contact and different semitransparent top contacts (AuGeNi, Pt, Gd and Nd) are reported, and analysed with the help of a simple physical model. It is shown that the dominant peak in the PC spectra and the change of photocurrent sign can be explained by a presence of two Schottky-like barriers at the top and bottom surfaces. In addition, I?V and PC results show dependence on the bias and its polarity, and on the contact metal used. The possible origins of these effects are discussed.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2016

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Solid-State Electronics

ISSN

0038-1101

e-ISSN

—

Svazek periodika

118

Číslo periodika v rámci svazku

4

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

30-35

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—