Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs M-S-M diodes with a new contact metallization

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00440049" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00440049 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs M-S-M diodes with a new contact metallization

Popis výsledku v původním jazyce

The work reports on the photocurrent (PC) study of diodes based on bulk semi-insulating (SI) GaAs with novel contacts including low work function metals, such as Gd and Nd. SI GaAs sandwich-like structures with topside electrodes of Gd/Au, Nd/Au, Pt/Au,and AuGeNi eutectic alloy and bottom AuGeNi eutectic alloy were fabricated. Their electrical and photoelectronic properties were investigated by current-voltage measurements and PC spectroscopy performed at room temperature in the spectral range of 600-1000 nm. A simple photovoltaic model was used to give a qualitative explanation of the observed spectral characteristics at zero bias.

Název v anglickém jazyce

Photocurrent spectroscopy of semi-insulating GaAs M-S-M diodes with a new contact metallization

Popis výsledku anglicky

The work reports on the photocurrent (PC) study of diodes based on bulk semi-insulating (SI) GaAs with novel contacts including low work function metals, such as Gd and Nd. SI GaAs sandwich-like structures with topside electrodes of Gd/Au, Nd/Au, Pt/Au,and AuGeNi eutectic alloy and bottom AuGeNi eutectic alloy were fabricated. Their electrical and photoelectronic properties were investigated by current-voltage measurements and PC spectroscopy performed at room temperature in the spectral range of 600-1000 nm. A simple photovoltaic model was used to give a qualitative explanation of the observed spectral characteristics at zero bias.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 20th International Conference on Applied Physics of Condensed Matter

ISBN

978-80-227-4179-8

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

214-218

Název nakladatele

FEI STU

Místo vydání

Bratislava

Místo konání akce

Štrbské Pleso

Datum konání akce

25. 6. 2014

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—