Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Role of contacts in metal/semi-insulating GaAs/metal structures: Symmetrical geometry

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00521995" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00521995 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.5119463" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.5119463</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.5119463" target="_blank" >10.1063/1.5119463</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Role of contacts in metal/semi-insulating GaAs/metal structures: Symmetrical geometry

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Comparative study of AuGeNi, Pt, Nd and Gd contacts on semi-insulating (SI) GaAs with respect to the backside quasi-ohmic AuGeNi contact in symmetrical geometry is investigated. Fabricated diode structures are characterized by the current- and capacitance-voltage dependencies. Each of contacts gives an original set of characteristics and current lower that corresponding to the ohmic, bulk limited transport in the initial, low bias (<0.02 V) region. Observed increase of UV photosensitivity in the structure with Gd contact is explained by the formation of a heterojunction Au/Gd2O3/SI-GaAs.n

  • Název v anglickém jazyce

    Role of contacts in metal/semi-insulating GaAs/metal structures: Symmetrical geometry

  • Popis výsledku anglicky

    Comparative study of AuGeNi, Pt, Nd and Gd contacts on semi-insulating (SI) GaAs with respect to the backside quasi-ohmic AuGeNi contact in symmetrical geometry is investigated. Fabricated diode structures are characterized by the current- and capacitance-voltage dependencies. Each of contacts gives an original set of characteristics and current lower that corresponding to the ohmic, bulk limited transport in the initial, low bias (<0.02 V) region. Observed increase of UV photosensitivity in the structure with Gd contact is explained by the formation of a heterojunction Au/Gd2O3/SI-GaAs.n

Klasifikace

  • Druh

    D - Stať ve sborníku

  • CEP obor

  • OECD FORD obor

    10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2019

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název statě ve sborníku

    APCOM 2019

  • ISBN

    9780735418738

  • ISSN

  • e-ISSN

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    1-4

  • Název nakladatele

    American Institute of Physics Inc.

  • Místo vydání

    New York

  • Místo konání akce

    Štrbské Pleso

  • Datum konání akce

    19. 6. 2019

  • Typ akce podle státní příslušnosti

    EUR - Evropská akce

  • Kód UT WoS článku