Role of contacts in metal/semi-insulating GaAs/metal structures: Symmetrical geometry
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F19%3A00521995" target="_blank" >RIV/68378271:_____/19:00521995 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.5119463" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.5119463</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.5119463" target="_blank" >10.1063/1.5119463</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Role of contacts in metal/semi-insulating GaAs/metal structures: Symmetrical geometry
Popis výsledku v původním jazyce
Comparative study of AuGeNi, Pt, Nd and Gd contacts on semi-insulating (SI) GaAs with respect to the backside quasi-ohmic AuGeNi contact in symmetrical geometry is investigated. Fabricated diode structures are characterized by the current- and capacitance-voltage dependencies. Each of contacts gives an original set of characteristics and current lower that corresponding to the ohmic, bulk limited transport in the initial, low bias (<0.02 V) region. Observed increase of UV photosensitivity in the structure with Gd contact is explained by the formation of a heterojunction Au/Gd2O3/SI-GaAs.n
Název v anglickém jazyce
Role of contacts in metal/semi-insulating GaAs/metal structures: Symmetrical geometry
Popis výsledku anglicky
Comparative study of AuGeNi, Pt, Nd and Gd contacts on semi-insulating (SI) GaAs with respect to the backside quasi-ohmic AuGeNi contact in symmetrical geometry is investigated. Fabricated diode structures are characterized by the current- and capacitance-voltage dependencies. Each of contacts gives an original set of characteristics and current lower that corresponding to the ohmic, bulk limited transport in the initial, low bias (<0.02 V) region. Observed increase of UV photosensitivity in the structure with Gd contact is explained by the formation of a heterojunction Au/Gd2O3/SI-GaAs.n
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
—
OECD FORD obor
10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2019
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
APCOM 2019
ISBN
9780735418738
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1-4
Název nakladatele
American Institute of Physics Inc.
Místo vydání
New York
Místo konání akce
Štrbské Pleso
Datum konání akce
19. 6. 2019
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—