Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

SiGe produkty připravené metodou CDVz různých prekurzorů

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00356032" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00356032 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/67985858:_____/10:00356032

  • Výsledek na webu

  • DOI - Digital Object Identifier

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    čeština

  • Název v původním jazyce

    SiGe produkty připravené metodou CDVz různých prekurzorů

  • Popis výsledku v původním jazyce

    Vzorky připravené z prekurzoru (Si(CH3)3)3GeH obsahují nanovlákna o průměru desítek nanometrů a délce až několika mikrometrů. Nanovlákna vykazují vnitřní strukturu skládající se z jádra o průměru 10 až 30 nm a obalu o tloušťce 10 až 50 nm. Jádro je tvořeno monokrystalickým germaniem, zatímco amorfní Si/SiC obal obsahuje nanočástice germania o velikosti cca 5 nm. Vzorky připravené z kombinace prekurzorů Ge2(CH3)6 a (C2H5)SiH3 obsahují shluky lístečkovitých krystalů SiGe a SiGe nanovlákna. Tvary lístečkovitých krystalů jsou v průmětu hexagonální, často protažené do listovitých čepelí. Krystaly mají velikost několika mikrometrů, ale jejich tloušťka je pouhých 40 nm. Lístky jsou zploštěny ve podle {111} kubické struktury křemíku. Nanovlákna mají tloušťku kolem 10 nm a délku několik mikrometrů. Jedná se o monokrystaly protažené ve směru , bez jakýchkoli defektů.

  • Název v anglickém jazyce

    SiGe products prepared by the CVD method from various precursors

  • Popis výsledku anglicky

    The deposits prepared from (Si(CH3)3)3GeH contain nanowires of width of tens of nanometers and the length is up to several microns. Nanowires have a core-rim structure with a variable diameter of the core (10 to 30nm) and thickness of the rim (10 to 50nm). The core is composed of crystalline Ge, whereas the rim is mostly amorphous Si/SiC with occasional crystalline Ge nanoparticles up to 5nm in size. The deposits prepared from Ge2(CH3)6 a (C2H5)SiH3 contain flowerlike aggregates of micrometer-size GeSiplatelets and GeSi nanowires. The platelets exhibit different shapes from hexagonal to elongated serrated leaves. They are up to several micrometers in size but have thickness of only about 40nm. The platelets grow perpendicular to direction. However, the electron diffraction patterns show interesting modulations probably caused by Si-Ge ordering. The nanowires are only about 10nm thick. They are single crystals which grow in direction and contain no defects.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2010

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology

  • ISSN

    1211-5894

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    17

  • Číslo periodika v rámci svazku

    2a

  • Stát vydavatele periodika

    CZ - Česká republika

  • Počet stran výsledku

    2

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

  • EID výsledku v databázi Scopus