Quantum confinement in MOVPE-grown structures with self-assembled InAs/GaAs quantum dots
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00383781" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00383781 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/245/1/012079" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/245/1/012079</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/245/1/012079" target="_blank" >10.1088/1742-6596/245/1/012079</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Quantum confinement in MOVPE-grown structures with self-assembled InAs/GaAs quantum dots
Popis výsledku v původním jazyce
We report on low-temperature, micro-photoluminescence study of quantum confinement in MOVPE-grown structures with InAs/GaAs quantum dots (QDs) with GaAs and/or strain reducing InGaAs/GaAs capping. We focus our attention on sharp emission lines, which appear in both structures at energies up to 80 meV below the wetting line emission. Power-dependent measurements confirmed their attribution to single excitons as well as biexcitons. Negative binding energy of biexcitons with systematic dependence on theirenergy was observed. It has been proposed that the investigated emission lines result from radiative recombination in flat non-fully developed QDs in the investigated structure. The attribution is confirmed by transmission electron microscopic analysis of investigated structures.
Název v anglickém jazyce
Quantum confinement in MOVPE-grown structures with self-assembled InAs/GaAs quantum dots
Popis výsledku anglicky
We report on low-temperature, micro-photoluminescence study of quantum confinement in MOVPE-grown structures with InAs/GaAs quantum dots (QDs) with GaAs and/or strain reducing InGaAs/GaAs capping. We focus our attention on sharp emission lines, which appear in both structures at energies up to 80 meV below the wetting line emission. Power-dependent measurements confirmed their attribution to single excitons as well as biexcitons. Negative binding energy of biexcitons with systematic dependence on theirenergy was observed. It has been proposed that the investigated emission lines result from radiative recombination in flat non-fully developed QDs in the investigated structure. The attribution is confirmed by transmission electron microscopic analysis of investigated structures.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Physics: Conference Series
ISSN
1742-6588
e-ISSN
—
Svazek periodika
245
Číslo periodika v rámci svazku
1
Stát vydavatele periodika
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
1-5
Kód UT WoS článku
000294907400079
EID výsledku v databázi Scopus
—