Magnetism in GaN layers implanted by La, Gd, Dy and Lu

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00365408" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00365408 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/61389005:_____/11:00365408 RIV/60461373:22310/11:43892063

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.04.110" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.04.110</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.04.110" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2011.04.110</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Magnetism in GaN layers implanted by La, Gd, Dy and Lu

Popis výsledku v původním jazyce

We present a complex study of rare earth elements implanted GaN layers grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy on c-plane sapphire substrates. Gd, Dy, La and Lu ions were implanted with energies of 200 key and doses ranging from 5 x 10(13)to 4 x 10(17) atoms.cm(-2). The chemical composition and concentration profiles of ion-implanted layers were studied by secondary ion mass spectrometry and Rutherford back scattering. The structural properties of the layers were characterized by Rutherford back scattering/channeling and X-ray diffraction reciprocal space mapping.

Název v anglickém jazyce

Magnetism in GaN layers implanted by La, Gd, Dy and Lu

Popis výsledku anglicky

We present a complex study of rare earth elements implanted GaN layers grown by low pressure metalorganic vapor phase epitaxy on c-plane sapphire substrates. Gd, Dy, La and Lu ions were implanted with energies of 200 key and doses ranging from 5 x 10(13)to 4 x 10(17) atoms.cm(-2). The chemical composition and concentration profiles of ion-implanted layers were studied by secondary ion mass spectrometry and Rutherford back scattering. The structural properties of the layers were characterized by Rutherford back scattering/channeling and X-ray diffraction reciprocal space mapping.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BG - Jaderná, atomová a molekulová fyzika, urychlovače

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

519

Číslo periodika v rámci svazku

18

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

6120-6125

Kód UT WoS článku

000292576500049

EID výsledku v databázi Scopus

—