Impact of AFM-induced nano-pits in a-Si:H films on silicon crystal growth
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00373608" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00373608 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-145" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-145</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1186/1556-276X-6-145" target="_blank" >10.1186/1556-276X-6-145</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Impact of AFM-induced nano-pits in a-Si:H films on silicon crystal growth
Popis výsledku v původním jazyce
Conductive tips in atomic force microscopy (AFM) can be used to localize field-enhanced metal-induced solid-phase crystallization (FE-MISPC) of amorphous silicon (a-Si:H) at room temperature down to nanoscale dimensions. In this article, the authors showthat such local modifications can be used to selectively induce further localized growth of silicon nanocrystals. First, a-Si:H films by plasma-enhanced chemical vapor deposition on nickel/glass substrates are prepared. After the FE-MISPC process, yielding both conductive and non-conductive nano-pits in the films, the second silicon layer at the boundary condition of amorphous and microcrystalline growth is deposited.
Název v anglickém jazyce
Impact of AFM-induced nano-pits in a-Si:H films on silicon crystal growth
Popis výsledku anglicky
Conductive tips in atomic force microscopy (AFM) can be used to localize field-enhanced metal-induced solid-phase crystallization (FE-MISPC) of amorphous silicon (a-Si:H) at room temperature down to nanoscale dimensions. In this article, the authors showthat such local modifications can be used to selectively induce further localized growth of silicon nanocrystals. First, a-Si:H films by plasma-enhanced chemical vapor deposition on nickel/glass substrates are prepared. After the FE-MISPC process, yielding both conductive and non-conductive nano-pits in the films, the second silicon layer at the boundary condition of amorphous and microcrystalline growth is deposited.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Nanoscale Research Letters
ISSN
1931-7573
e-ISSN
—
Svazek periodika
6
Číslo periodika v rámci svazku
—
Stát vydavatele periodika
US - Spojené státy americké
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
"145/1"-"145/6"
Kód UT WoS článku
000290525700052
EID výsledku v databázi Scopus
—