Role of current profiles and atomic force microscope tips on local electric crystallization of amorphous silicon

Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00354945" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00354945 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—

Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Role of current profiles and atomic force microscope tips on local electric crystallization of amorphous silicon
Popis výsledku v původním jazyce
Role of current profiles and atomic force microscope tips on local electric crystallization of amorphous silicon. Various types of conductive tips in atomic force microscope (AFM) are used to localize field-enhanced metal-induced solid phase crystallization (FE-MISPC) of amorphous silicon at room temperature down to nanoscale dimensions.
Název v anglickém jazyce
Role of current profiles and atomic force microscope tips on local electric crystallization of amorphous silicon
Popis výsledku anglicky
Role of current profiles and atomic force microscope tips on local electric crystallization of amorphous silicon. Various types of conductive tips in atomic force microscope (AFM) are used to localize field-enhanced metal-induced solid phase crystallization (FE-MISPC) of amorphous silicon at room temperature down to nanoscale dimensions.

Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—

Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění
2010
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Podobné výsledky(10)