Prostorově definovaná krystalizace vrstev amorfního křemíku indukovaná proudem
Popis výsledku
Polem-stimulavaná krystalizace v pevné fázi při pokojové teplotě je použita pro vytvoření krystalických oblastí v amorfním křemíku s vysokým obsahem vodíku v předem definovaných pozicích. Elektrické pole bylo vyvoláno mezi hrotem mikroskopu atomárních sil a niklovou elektrodou pod vrstvou amorfního křemíku. Proces je řízen konstantním proudem mezi 50 až 500 pA a systému je dodána předem definovaná energie mezi 1 až 300 nJ. Průchod proudu vede k vytvoření důlku s nanometrovými rozměry, v jehož středu sevytváří krystalická oblast, což bylo prokázáno mapou vodivosti v AFM i mikroRamanovskou spektroskopií.
Klíčová slova
siliconcrystallizationatomic force and scanning tunneling microscopynanocrystals
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Spatially localized current-induced crystallization of amorphous silicon films
Popis výsledku v původním jazyce
Field-enhanced metal-induced solid phase crystallization (FE-MISPC) at room temperature is employed to create microscopic crystalline regions at predefined positions in hydrogen-rich amorphous silicon (a-Si:H) films. Electric field is applied locally using a sharp conductive tip in atomic force microscope (AFM) and nickel electrode below the a-Si:H film. The process is driven by a constant current of -50 pA to -500 pA while controlling the amount of transferred energy (1?300 nJ) as a function of time. Passing current leads to a formation of nanoscale pits in the a-Si:H films. Depending on the energy amount and rate the pits exhibit lower or orders of magnitude higher conductivity as detected by current-sensing AFM. High conductivity is attributed to alocal crystallization of the films. This is confirmed by micro-Raman spectroscopy.
Název v anglickém jazyce
Spatially localized current-induced crystallization of amorphous silicon films
Popis výsledku anglicky
Field-enhanced metal-induced solid phase crystallization (FE-MISPC) at room temperature is employed to create microscopic crystalline regions at predefined positions in hydrogen-rich amorphous silicon (a-Si:H) films. Electric field is applied locally using a sharp conductive tip in atomic force microscope (AFM) and nickel electrode below the a-Si:H film. The process is driven by a constant current of -50 pA to -500 pA while controlling the amount of transferred energy (1?300 nJ) as a function of time. Passing current leads to a formation of nanoscale pits in the a-Si:H films. Depending on the energy amount and rate the pits exhibit lower or orders of magnitude higher conductivity as detected by current-sensing AFM. High conductivity is attributed to alocal crystallization of the films. This is confirmed by micro-Raman spectroscopy.
Klasifikace
Druh
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2008
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Non-Crystalline Solids
ISSN
0022-3093
e-ISSN
—
Svazek periodika
354
Číslo periodika v rámci svazku
19-25
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
5
Strana od-do
—
Kód UT WoS článku
000256500400053
EID výsledku v databázi Scopus
—
Základní informace
Druh výsledku
Jx - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
Rok uplatnění
2008