Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F10%3A00354185" target="_blank" >RIV/68378271:_____/10:00354185 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

čeština

Název v původním jazyce

Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů

Popis výsledku v původním jazyce

Způsob výroby izolovaných skupin mikroskopických křemíkových krystalů v tenké vrstvě amorfního křemíku nanesené na kovové podložce probíhá za pomoci procesu krystalizace z pevné fáze indukované kovem a podpořené elektrickým polem (FE-MISPC). Tento způsobje charakteristický tím, že se na vrstvu amorfního křemíku přiloží nejméně jeden zahrocený kontakt z elektricky vodivého materiálu, načež se indukuje průchod elektrického proudu mezi tímto kontaktem a kovovou podložkou. Přitom se reguluje úroveň procházejícího proudu a dávkování elektrické energie do vzorku. Takto lze dosáhnout křemíkových krystalů i menších než 100 nm, a to i při běžné pokojové teplotě.

Název v anglickém jazyce

Method of making isolated groups of microscopic silicon crystals

Popis výsledku anglicky

Fabrication of isolated groups of microscopic silicon crystals in a thin film of amorphous silicon deposited on a metal substrates is done by employing field-enhanced metal-induced solid-phase crystallization process. This process is specific by the procedure that at least one tip-like contact from electrically conductive material is positioned on the amorphous silicon thin film and a flow of electrical current between the contact and metal substrates is induced thereafter. The current amplitude and energy dose to the sample is controlled. In this way one can fabricate silicon crystals smaller than 100 nm, even at room temperature. Growth of the crystals is accompanied by a formation of microscopic pits in the thin film.

Druh

P - Patent

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2010

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Číslo patentu nebo vzoru

301824

Vydavatel

—

Název vydavatele

—

Místo vydání

—

Stát vydání

—

Datum přijetí

24. 5. 2010

Název vlastníka

Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i., Praha 8,CZ

Způsob využití

A - Výsledek využívá pouze poskytovatel

Druh možnosti využití

A - K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence