Generating ordered Si nanocrystals via atomic force microscopy

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00383786" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00383786 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.018" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.018</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.018" target="_blank" >10.1016/j.jnoncrysol.2011.12.018</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Generating ordered Si nanocrystals via atomic force microscopy

Popis výsledku v původním jazyce

We describe two successful routes for generating ordered arrays of Si nanocrystals by using atomic force microscopy (AFM) and amorphous silicon thin films (200?400 nm) on Ti/Ni coated glass substrates. First, we show that field-enhanced metal-induced solid phase crystallization at room temperature can be miniaturized to achieve highly spatially localized (below 100 nm) current-induced crystallization of the amorphous silicon films using a sharp tip in AFM. In the second route, resistive nano-pits are formed at controlled positions in the amorphous silicon thin films by adjusting (lowering and/or stabilizing) the exposure currents in the AFM process. Such templated substrates are further used to induce localized growth of Si nanocrystals in plasma-enhanced chemical vapor deposition process. In both cases the crystalline phase is identified in situ as features of enhanced current in current-sensing AFM maps.

Název v anglickém jazyce

Generating ordered Si nanocrystals via atomic force microscopy

Popis výsledku anglicky

We describe two successful routes for generating ordered arrays of Si nanocrystals by using atomic force microscopy (AFM) and amorphous silicon thin films (200?400 nm) on Ti/Ni coated glass substrates. First, we show that field-enhanced metal-induced solid phase crystallization at room temperature can be miniaturized to achieve highly spatially localized (below 100 nm) current-induced crystallization of the amorphous silicon films using a sharp tip in AFM. In the second route, resistive nano-pits are formed at controlled positions in the amorphous silicon thin films by adjusting (lowering and/or stabilizing) the exposure currents in the AFM process. Such templated substrates are further used to induce localized growth of Si nanocrystals in plasma-enhanced chemical vapor deposition process. In both cases the crystalline phase is identified in situ as features of enhanced current in current-sensing AFM maps.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2012

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Journal of Non-Crystalline Solids

ISSN

0022-3093

e-ISSN

—

Svazek periodika

358

Číslo periodika v rámci svazku

17

Stát vydavatele periodika

NL - Nizozemsko

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

"2118?2121"

Kód UT WoS článku

000310394700046

EID výsledku v databázi Scopus

—