Photothermal and photocurrent spectroscopy of wide band gap nanocrystalline semiconductors
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00375053" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00375053 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
—
DOI - Digital Object Identifier
—
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Photothermal and photocurrent spectroscopy of wide band gap nanocrystalline semiconductors
Popis výsledku v původním jazyce
Optical spectroscopy belongs to the most important methods applied to characterize thin films. Photothermal deflection spectroscopy (PDS) as well as the dual beam photocurrent (DBP) spectroscopy in near ultraviolet (200-400 nm), visible (400-700 nm) andnear infrared regions (700-2000 nm) are particularly useful for study of the wide band gap semiconductors deposited as thin layers on glass substrates. In our laboratory we focus on optically transparent thin films such as nanocrystalline diamond (NCD) or ZnO nanostructures with size too small to be visualized in optical microscope and the optical absorption edge in the ultraviolet region. In this contribution we summarize how to evaluate the optical absorption edge and the defects in the band gap of these wide band gap nanocrystalline semiconductors.
Název v anglickém jazyce
Photothermal and photocurrent spectroscopy of wide band gap nanocrystalline semiconductors
Popis výsledku anglicky
Optical spectroscopy belongs to the most important methods applied to characterize thin films. Photothermal deflection spectroscopy (PDS) as well as the dual beam photocurrent (DBP) spectroscopy in near ultraviolet (200-400 nm), visible (400-700 nm) andnear infrared regions (700-2000 nm) are particularly useful for study of the wide band gap semiconductors deposited as thin layers on glass substrates. In our laboratory we focus on optically transparent thin films such as nanocrystalline diamond (NCD) or ZnO nanostructures with size too small to be visualized in optical microscope and the optical absorption edge in the ultraviolet region. In this contribution we summarize how to evaluate the optical absorption edge and the defects in the band gap of these wide band gap nanocrystalline semiconductors.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
NANOCON 2011. Conference proceedings
ISBN
978-80-87294-27-7
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
719-725
Název nakladatele
Tanger Ltd
Místo vydání
Ostrava
Místo konání akce
Brno
Datum konání akce
21. 9. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—