Microscopic characterizations of nanostructured silicon thin films for solar cells
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00375054" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00375054 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.1097" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.1097</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1557/opl.2011.1097" target="_blank" >10.1557/opl.2011.1097</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Microscopic characterizations of nanostructured silicon thin films for solar cells
Popis výsledku v původním jazyce
Microscopic characterization of mixed phase silicon thin films by conductive atomic force microscopy (C-AFM) was used to study the structure composed of conical microcrystalline grains dispersed in amorphous matrix. C-AFM experiments were interpreted using simulations of electric field and current distributions. Density of absorbed optical power was calculated by numerically solving the Maxwell equations. The goal of this study is to combine both models in order to simulate local photoconductivity for understanding the charge photogeneration and collection in nanostructured solar cells.
Název v anglickém jazyce
Microscopic characterizations of nanostructured silicon thin films for solar cells
Popis výsledku anglicky
Microscopic characterization of mixed phase silicon thin films by conductive atomic force microscopy (C-AFM) was used to study the structure composed of conical microcrystalline grains dispersed in amorphous matrix. C-AFM experiments were interpreted using simulations of electric field and current distributions. Density of absorbed optical power was calculated by numerically solving the Maxwell equations. The goal of this study is to combine both models in order to simulate local photoconductivity for understanding the charge photogeneration and collection in nanostructured solar cells.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2011
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Amorphous and Polycrystalline Thin-Film Silicon Science and Technology
ISBN
9781605112985
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
313-321
Název nakladatele
MRS
Místo vydání
Warrendale
Místo konání akce
San Francisko
Datum konání akce
25. 4. 2011
Typ akce podle státní příslušnosti
WRD - Celosvětová akce
Kód UT WoS článku
—