Microscopic measurements of polycrystalline silicon thin films on glass

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00375317" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00375317 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.4229/26thEUPVSEC2011-3AV.3.14" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4229/26thEUPVSEC2011-3AV.3.14</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.4229/26thEUPVSEC2011-3AV.3.14" target="_blank" >10.4229/26thEUPVSEC2011-3AV.3.14</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Microscopic measurements of polycrystalline silicon thin films on glass

Popis výsledku v původním jazyce

Microscopic study of charge transport collection in silicon thin films can be studied with resolution down to 10 nm, which allows study of individual crystalline grains in microcrystalline silicon or individual crystallites separated by grain boundarieswithin the polycrystalline silicon grains on glass. We have developed two complementary approaches: conductive atomic force microscopy (C-AFM) and measurements with two probes navigated by a scanning electron microscope. We have also proposed and testeda novel procedure for measurements of the same spot after repeated mounting. The procedure uses simple nanoindentation marks which can be easily localized with high precision in various microscopes used (optical, scanning electron microscope, CAFM). Thisenables measurements of the same spot on a sample before and after technological steps (e.g. hydrogenation or deposition) and thus an investigation of microscopic effects of these treatments.

Název v anglickém jazyce

Microscopic measurements of polycrystalline silicon thin films on glass

Popis výsledku anglicky

Microscopic study of charge transport collection in silicon thin films can be studied with resolution down to 10 nm, which allows study of individual crystalline grains in microcrystalline silicon or individual crystallites separated by grain boundarieswithin the polycrystalline silicon grains on glass. We have developed two complementary approaches: conductive atomic force microscopy (C-AFM) and measurements with two probes navigated by a scanning electron microscope. We have also proposed and testeda novel procedure for measurements of the same spot after repeated mounting. The procedure uses simple nanoindentation marks which can be easily localized with high precision in various microscopes used (optical, scanning electron microscope, CAFM). Thisenables measurements of the same spot on a sample before and after technological steps (e.g. hydrogenation or deposition) and thus an investigation of microscopic effects of these treatments.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

Proceedings of the 26th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition

ISBN

3-936338-27-2

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

3

Strana od-do

2788-2790

Název nakladatele

WIP München

Místo vydání

München

Místo konání akce

Hamburg

Datum konání akce

5. 9. 2011

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

—