Formation of CuIn1xAlxSe2 thin films studied by Raman scattering

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F11%3A00375581" target="_blank" >RIV/68378271:_____/11:00375581 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.02.030" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.02.030</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2011.02.030" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2011.02.030</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Formation of CuIn1xAlxSe2 thin films studied by Raman scattering

Popis výsledku v původním jazyce

CuIn1xAlxSe2 (CIAS) thin films (x=0.06, 0.18, 0.39, 0.64, 0.80 and 1) with thicknesses of approximately 1 ?m were formed by the selenization of sputtered CuInAl precursors and studied via X-ray diffraction, inductively coupled plasma mass spectrometry and micro-Raman spectroscopy at room temperature. Precursor films selenized at 300, 350, 400, 450, 500 and 550 °C were examined via Raman spectroscopy in the range 50?500 cm1 with resolution of 0.3 cm1. Sequential formation of InxSey, Cu2xSe, CuInSe2 (CIS)and CIAS phases was observed as the selenization temperature was increased. Conversion of CIS to CIAS was initiated at 500 °C. For all CuIn1xAlxSe2 products, the A1 phonon frequency varied nonlinearly with respect to the aluminum composition parameter xin the range 172 cm1 to 186 cm1.

Název v anglickém jazyce

Formation of CuIn1xAlxSe2 thin films studied by Raman scattering

Popis výsledku anglicky

CuIn1xAlxSe2 (CIAS) thin films (x=0.06, 0.18, 0.39, 0.64, 0.80 and 1) with thicknesses of approximately 1 ?m were formed by the selenization of sputtered CuInAl precursors and studied via X-ray diffraction, inductively coupled plasma mass spectrometry and micro-Raman spectroscopy at room temperature. Precursor films selenized at 300, 350, 400, 450, 500 and 550 °C were examined via Raman spectroscopy in the range 50?500 cm1 with resolution of 0.3 cm1. Sequential formation of InxSey, Cu2xSe, CuInSe2 (CIS)and CIAS phases was observed as the selenization temperature was increased. Conversion of CIS to CIAS was initiated at 500 °C. For all CuIn1xAlxSe2 products, the A1 phonon frequency varied nonlinearly with respect to the aluminum composition parameter xin the range 172 cm1 to 186 cm1.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2011

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

519

Číslo periodika v rámci svazku

16

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

5329-5334

Kód UT WoS článku

000292573500003

EID výsledku v databázi Scopus

—