Layer-resolved photoelectron diffraction: electron attenuation anisotropy in GaAs
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00384858" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00384858 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.elspec.2012.06.011" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.elspec.2012.06.011</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.elspec.2012.06.011" target="_blank" >10.1016/j.elspec.2012.06.011</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Layer-resolved photoelectron diffraction: electron attenuation anisotropy in GaAs
Popis výsledku v původním jazyce
Photoelectron diffraction was used to get polar plots of the low-energy photoemission intensities from AlAs monolayer buried 2, 3 and 4 GaAs monolayers below the GaAs(0 0 1)-c(44) reconstructed surface.
Název v anglickém jazyce
Layer-resolved photoelectron diffraction: electron attenuation anisotropy in GaAs
Popis výsledku anglicky
Photoelectron diffraction was used to get polar plots of the low-energy photoemission intensities from AlAs monolayer buried 2, 3 and 4 GaAs monolayers below the GaAs(0 0 1)-c(44) reconstructed surface.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
—
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
ISSN
0368-2048
e-ISSN
—
Svazek periodika
185
Číslo periodika v rámci svazku
5-7
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
184-187
Kód UT WoS článku
000308518000010
EID výsledku v databázi Scopus
—