?c-Si solar cells by direct deposition with APCVD
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00386627" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00386627 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.4229/27thEUPVSEC2012-3CV.2.7" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.4229/27thEUPVSEC2012-3CV.2.7</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.4229/27thEUPVSEC2012-3CV.2.7" target="_blank" >10.4229/27thEUPVSEC2012-3CV.2.7</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
?c-Si solar cells by direct deposition with APCVD
Popis výsledku v původním jazyce
The rapid thermal direct deposition of micro-crystalline silicon (?c-Si) layers by atmospheric pressure chemical vapour deposition (APCVD) can be done on different intermediate layers. The deposition is done at temperatures between 850 °C and 1150 °C. Adeposition rate of 1.6 ?m/min has been achieved using standard process conditions. The microcrystalline structure changes depending on the deposition temperature and the layer thickness. Electron backscatter diffraction measurements show grain sizes of 0.5-10.0 ?m with a columnar structure. Based on these process parameters and material properties the ?c-Si layers have been simulated and optimised for two different solar cell concepts featuring different metallisation schemes and a comparison between epitaxial ?c-Si emitter, diffused POCl3 emitter, and plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) deposited a-Si heterojunction solar cells.
Název v anglickém jazyce
?c-Si solar cells by direct deposition with APCVD
Popis výsledku anglicky
The rapid thermal direct deposition of micro-crystalline silicon (?c-Si) layers by atmospheric pressure chemical vapour deposition (APCVD) can be done on different intermediate layers. The deposition is done at temperatures between 850 °C and 1150 °C. Adeposition rate of 1.6 ?m/min has been achieved using standard process conditions. The microcrystalline structure changes depending on the deposition temperature and the layer thickness. Electron backscatter diffraction measurements show grain sizes of 0.5-10.0 ?m with a columnar structure. Based on these process parameters and material properties the ?c-Si layers have been simulated and optimised for two different solar cell concepts featuring different metallisation schemes and a comparison between epitaxial ?c-Si emitter, diffused POCl3 emitter, and plasma enhanced chemical vapour deposition (PECVD) deposited a-Si heterojunction solar cells.
Klasifikace
Druh
D - Stať ve sborníku
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název statě ve sborníku
Proceedings of the 27th European Photovoltaic Solar Energy Conference and Exhibition
ISBN
3-936338-28-0
ISSN
—
e-ISSN
—
Počet stran výsledku
7
Strana od-do
2386-2392
Název nakladatele
WIP Wirtschaft und Infrastruktur GmbH & Co Planungs KG
Místo vydání
München
Místo konání akce
Frankfurt
Datum konání akce
24. 9. 2012
Typ akce podle státní příslušnosti
EUR - Evropská akce
Kód UT WoS článku
—