Layer-resolved photoelectron diffraction from Si(001) and GaAs(001)
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F12%3A00390483" target="_blank" >RIV/68378271:_____/12:00390483 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0368204812001326" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0368204812001326</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.elspec.2012.10.007" target="_blank" >10.1016/j.elspec.2012.10.007</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Layer-resolved photoelectron diffraction from Si(001) and GaAs(001)
Popis výsledku v původním jazyce
Photoelectron diffraction in the layer-resolved mode brings more detailed information about local atomic arrangement than is obtained in the standard mode. This is demonstrated in crystals with diamond and zinc-blende structures, both for unpolarized photon excitation as well as for circularly polarized excitation. The full angular distributions of photoemission intensities are evaluated for large atomic clusters representing ideally truncated surfaces of Si(001) and GaAs(001). Highly structured layer-resolved patterns enable a more detailed understanding of the standard mode outcomes. Photoelectron intensities from atomic layers placed at different depths under the crystal surface provide direct evidence about electron attenuation and its anisotropy in crystals.
Název v anglickém jazyce
Layer-resolved photoelectron diffraction from Si(001) and GaAs(001)
Popis výsledku anglicky
Photoelectron diffraction in the layer-resolved mode brings more detailed information about local atomic arrangement than is obtained in the standard mode. This is demonstrated in crystals with diamond and zinc-blende structures, both for unpolarized photon excitation as well as for circularly polarized excitation. The full angular distributions of photoemission intensities are evaluated for large atomic clusters representing ideally truncated surfaces of Si(001) and GaAs(001). Highly structured layer-resolved patterns enable a more detailed understanding of the standard mode outcomes. Photoelectron intensities from atomic layers placed at different depths under the crystal surface provide direct evidence about electron attenuation and its anisotropy in crystals.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
<a href="/cs/project/GAP204%2F10%2F0035" target="_blank" >GAP204/10/0035: Hyperjemné interakce v nanočásticích a nízkodimenzionálních oxidech železa</a><br>
Návaznosti
Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)
Ostatní
Rok uplatnění
2012
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena
ISSN
0368-2048
e-ISSN
—
Svazek periodika
185
Číslo periodika v rámci svazku
11
Stát vydavatele periodika
NL - Nizozemsko
Počet stran výsledku
6
Strana od-do
512-517
Kód UT WoS článku
000314439900012
EID výsledku v databázi Scopus
—