Light emitting diodes with InAs/GaAsSb self-assembled quantum dot layer embedded in GaAs

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00396370" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00396370 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21230/13:00206548

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.02.116" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.02.116</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.02.116" target="_blank" >10.1016/j.tsf.2013.02.116</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Light emitting diodes with InAs/GaAsSb self-assembled quantum dot layer embedded in GaAs

Popis výsledku v původním jazyce

Luminescence properties of MOVPE grown LEDs with active InAs/GaAs QD layer covered by GaAsSb SRL were investigated at temperatures from 10 to 400 K. Results show that the use of GaAsSb SRL with up to 14% Sb strongly increases luminescence, redshifts theemission maximum up to 1.4 ?m while keeping the type I transition, narrows the luminescence linewidth and keeps the separation energy between the ground and excited state as in InAs/GaAs QD LEDs without SRL. The ground state electroluminescence shows thetypical Stranski-Krastanov dot temperature properties. The electroluminescence intensity of the ground and excited state transitions increases with temperature (up to 80 K) due to the thermal escape of electrons from the wetting layer which reduces radiative recombination via wetting layer states. The dominant mechanism responsible for the thermal quenching of electroluminescence at elevated temperatures is the escape of electrons from QDs to the GaAs barrier.

Název v anglickém jazyce

Light emitting diodes with InAs/GaAsSb self-assembled quantum dot layer embedded in GaAs

Popis výsledku anglicky

Luminescence properties of MOVPE grown LEDs with active InAs/GaAs QD layer covered by GaAsSb SRL were investigated at temperatures from 10 to 400 K. Results show that the use of GaAsSb SRL with up to 14% Sb strongly increases luminescence, redshifts theemission maximum up to 1.4 ?m while keeping the type I transition, narrows the luminescence linewidth and keeps the separation energy between the ground and excited state as in InAs/GaAs QD LEDs without SRL. The ground state electroluminescence shows thetypical Stranski-Krastanov dot temperature properties. The electroluminescence intensity of the ground and excited state transitions increases with temperature (up to 80 K) due to the thermal escape of electrons from the wetting layer which reduces radiative recombination via wetting layer states. The dominant mechanism responsible for the thermal quenching of electroluminescence at elevated temperatures is the escape of electrons from QDs to the GaAs barrier.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

Z - Vyzkumny zamer (s odkazem do CEZ)

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Thin Solid Films

ISSN

0040-6090

e-ISSN

—

Svazek periodika

543

Číslo periodika v rámci svazku

Sept

Stát vydavatele periodika

CH - Švýcarská konfederace

Počet stran výsledku

5

Strana od-do

83-87

Kód UT WoS článku

000324049500020

EID výsledku v databázi Scopus

—