Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

GaN polarity determination by photoelectron diffraction

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00396607" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00396607 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://apl.aip.org/resource/1/applab/v103/i9/p091601_s1?isAuthorized=no" target="_blank" >http://apl.aip.org/resource/1/applab/v103/i9/p091601_s1?isAuthorized=no</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4819761" target="_blank" >10.1063/1.4819761</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    GaN polarity determination by photoelectron diffraction

  • Popis výsledku v původním jazyce

    A nondestructive approach to determine the wurtzite GaN crystal polarity based on X-ray photoelectron diffraction is proposed. The approach, utilizing the ratio of photoemitted electron currents excited by a standard laboratory X-ray source from the N 1slevel in the (10 -10) plane at polar angles of 20 and 25 , is tested on GaN crystals. The photoelectron intensity ratio I20/I25 is larger or smaller than unity for GaN(0001) or GaN(000 -1), respectively. The approach can be used for polarity determination of other binary wurtzite crystals. The atom with the smaller electron scattering cross-section should be used as the emitter.

  • Název v anglickém jazyce

    GaN polarity determination by photoelectron diffraction

  • Popis výsledku anglicky

    A nondestructive approach to determine the wurtzite GaN crystal polarity based on X-ray photoelectron diffraction is proposed. The approach, utilizing the ratio of photoemitted electron currents excited by a standard laboratory X-ray source from the N 1slevel in the (10 -10) plane at polar angles of 20 and 25 , is tested on GaN crystals. The photoelectron intensity ratio I20/I25 is larger or smaller than unity for GaN(0001) or GaN(000 -1), respectively. The approach can be used for polarity determination of other binary wurtzite crystals. The atom with the smaller electron scattering cross-section should be used as the emitter.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GBP108%2F12%2FG108" target="_blank" >GBP108/12/G108: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů zářením</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Applied Physics Letters

  • ISSN

    0003-6951

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    103

  • Číslo periodika v rámci svazku

    9

  • Stát vydavatele periodika

    US - Spojené státy americké

  • Počet stran výsledku

    4

  • Strana od-do

    "091601-1"-"091601-4"

  • Kód UT WoS článku

    000323846900015

  • EID výsledku v databázi Scopus