Atomic and electronic structure of GaP/Si(111), GaP/Si(110), and GaP/Si(113) interfaces and superlattices studied by density functional theory

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00398143" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00398143 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://prb.aps.org/abstract/PRB/v88/i11/e115312" target="_blank" >http://prb.aps.org/abstract/PRB/v88/i11/e115312</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.88.115312" target="_blank" >10.1103/PhysRevB.88.115312</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Atomic and electronic structure of GaP/Si(111), GaP/Si(110), and GaP/Si(113) interfaces and superlattices studied by density functional theory

Popis výsledku v původním jazyce

The atomic structure of GaP(111)/Si(111), GaP(110)/Si(110), and GaP(113)/Si(113) heterointerfaces was studied by ab initio calculations employing the density functional theory (DFT). Relative formation energies were computed for the interface layers allowing for atomic intermixing. The application of the electron-counting model, a construction principle used for surface reconstructions, to the case of the GaP(111)/Si(111) interfaces leads to electronic compensation at the heterovalent interfaces and toa reduction of the interface formation energy. The speci?c equilibrium (111) interface reconstruction can be tuned by changing the chemical potential.

Název v anglickém jazyce

Atomic and electronic structure of GaP/Si(111), GaP/Si(110), and GaP/Si(113) interfaces and superlattices studied by density functional theory

Popis výsledku anglicky

The atomic structure of GaP(111)/Si(111), GaP(110)/Si(110), and GaP(113)/Si(113) heterointerfaces was studied by ab initio calculations employing the density functional theory (DFT). Relative formation energies were computed for the interface layers allowing for atomic intermixing. The application of the electron-counting model, a construction principle used for surface reconstructions, to the case of the GaP(111)/Si(111) interfaces leads to electronic compensation at the heterovalent interfaces and toa reduction of the interface formation energy. The speci?c equilibrium (111) interface reconstruction can be tuned by changing the chemical potential.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GPP204%2F10%2FP028" target="_blank" >GPP204/10/P028: Ztráty energie elektronů u povrchů pevných látek</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physical Review. B

ISSN

1098-0121

e-ISSN

—

Svazek periodika

88

Číslo periodika v rámci svazku

11

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

8

Strana od-do

"115312-1"-"115312-8"

Kód UT WoS článku

000324690400006

EID výsledku v databázi Scopus

—