Electron spin resonance of paramagnetic defects and related charge carrier traps in complex oxide scintillators

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00422109" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00422109 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201200502" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201200502</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201200502" target="_blank" >10.1002/pssb.201200502</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Electron spin resonance of paramagnetic defects and related charge carrier traps in complex oxide scintillators

Popis výsledku v původním jazyce

Selected results of Electron Spin Resonance study of various point defects, which participate in the processes of charge carriers transfer and capture in the family of practically important complex oxide single crystal scintillators based on tungstates,aluminum perovskites and yt-trium (lutetium) orthosilicates are presented. Particular attention is paid to the most natural defects inevitably present in oxide materials such as anion and cation va-cancies, antisite defects, self-trapped electron and hole states. Current understanding of the nature of such charge trapping states and mechanisms of their creation in the selected oxide scintillation materials is discussed as well.

Název v anglickém jazyce

Electron spin resonance of paramagnetic defects and related charge carrier traps in complex oxide scintillators

Popis výsledku anglicky

Selected results of Electron Spin Resonance study of various point defects, which participate in the processes of charge carriers transfer and capture in the family of practically important complex oxide single crystal scintillators based on tungstates,aluminum perovskites and yt-trium (lutetium) orthosilicates are presented. Particular attention is paid to the most natural defects inevitably present in oxide materials such as anion and cation va-cancies, antisite defects, self-trapped electron and hole states. Current understanding of the nature of such charge trapping states and mechanisms of their creation in the selected oxide scintillation materials is discussed as well.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)<br>I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics

ISSN

0370-1972

e-ISSN

—

Svazek periodika

250

Číslo periodika v rámci svazku

2

Stát vydavatele periodika

DE - Spolková republika Německo

Počet stran výsledku

7

Strana od-do

254-260

Kód UT WoS článku

000314929500005

EID výsledku v databázi Scopus

—