Investigation of reactive HiPIMS + MF sputtering of TiO2 crystalline thin films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00422122" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00422122 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0257897213004829" target="_blank" >http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0257897213004829</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2013.05.038" target="_blank" >10.1016/j.surfcoat.2013.05.038</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Investigation of reactive HiPIMS + MF sputtering of TiO2 crystalline thin films
Popis výsledku v původním jazyce
A hybrid high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) + mid-frequency (MF) magnetron sputtering system was used for the deposition of crystalline TiO2 thin films at a low substrate temperature. Ion velocity distribution functions were measured in a pulsed magnetron discharge at substrate positions depending on the type of plasma excitation and on theworking gasmixtures. Several different pulsed discharge configurations were used: (i) HiPIMS, (ii) pulsed bipolar MF with frequency 350 kHz and (iii) both HiPIMS + MF connected in parallel to themagnetron cathode. Ti targets were sputtered in three different types of atmospheres: (i) inert pure Ar, (ii) a reactive mixture of Ar + O2 and (iii) a reactive mixture of Ar + O2 + N2 with a constant gas pressure p = 1 Pa. All IVDFs were measured using a time-resolved retarding field energy analyzer (RFEA) located in the substrate position. The thin film properties are discussed with respect to the measured plasma parameters.
Název v anglickém jazyce
Investigation of reactive HiPIMS + MF sputtering of TiO2 crystalline thin films
Popis výsledku anglicky
A hybrid high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) + mid-frequency (MF) magnetron sputtering system was used for the deposition of crystalline TiO2 thin films at a low substrate temperature. Ion velocity distribution functions were measured in a pulsed magnetron discharge at substrate positions depending on the type of plasma excitation and on theworking gasmixtures. Several different pulsed discharge configurations were used: (i) HiPIMS, (ii) pulsed bipolar MF with frequency 350 kHz and (iii) both HiPIMS + MF connected in parallel to themagnetron cathode. Ti targets were sputtered in three different types of atmospheres: (i) inert pure Ar, (ii) a reactive mixture of Ar + O2 and (iii) a reactive mixture of Ar + O2 + N2 with a constant gas pressure p = 1 Pa. All IVDFs were measured using a time-resolved retarding field energy analyzer (RFEA) located in the substrate position. The thin film properties are discussed with respect to the measured plasma parameters.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Surface and Coatings Technology
ISSN
0257-8972
e-ISSN
—
Svazek periodika
232
Číslo periodika v rámci svazku
OCT
Stát vydavatele periodika
CH - Švýcarská konfederace
Počet stran výsledku
8
Strana od-do
376-383
Kód UT WoS článku
000327691300050
EID výsledku v databázi Scopus
—