Conductivity of boron-doped polycrystalline diamond films: influence of specific boron defects
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00422814" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00422814 - isvavai.cz</a>
Nalezeny alternativní kódy
RIV/61388955:_____/13:00422814 RIV/61389005:_____/13:00422814 RIV/61388963:_____/13:00422814
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1140/epjb/e2013-40528-x" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1140/epjb/e2013-40528-x</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1140/epjb/e2013-40528-x" target="_blank" >10.1140/epjb/e2013-40528-x</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Conductivity of boron-doped polycrystalline diamond films: influence of specific boron defects
Popis výsledku v původním jazyce
The resistivity of boron doped polycrystalline diamond films changes with boron content in a very complex way with many unclear factors. From the large number of parameters affecting boron doped polycrystalline diamond film?s conductivity we focused on the role of boron atoms inside diamond grains in terms of boron contribution to the continuum of diamond electronic states. Using a combination of theoretical and experimental techniques (plane-wave Density Functional Theory, Neutron Depth Profiling, resistivity and Hall effect measurements, Atomic Force Microscopy and Raman spectroscopy) we studied a wide range of B defect parameters - the boron concentration, location, structure, free hole concentration and mobility. The main goal and novelty of our work was to find the influence of B defects (structure, interactions, charge localisation and spins) in highly B-doped diamonds - close or above the metal-insulator transition - on the complex material charge transport mechanisms.
Název v anglickém jazyce
Conductivity of boron-doped polycrystalline diamond films: influence of specific boron defects
Popis výsledku anglicky
The resistivity of boron doped polycrystalline diamond films changes with boron content in a very complex way with many unclear factors. From the large number of parameters affecting boron doped polycrystalline diamond film?s conductivity we focused on the role of boron atoms inside diamond grains in terms of boron contribution to the continuum of diamond electronic states. Using a combination of theoretical and experimental techniques (plane-wave Density Functional Theory, Neutron Depth Profiling, resistivity and Hall effect measurements, Atomic Force Microscopy and Raman spectroscopy) we studied a wide range of B defect parameters - the boron concentration, location, structure, free hole concentration and mobility. The main goal and novelty of our work was to find the influence of B defects (structure, interactions, charge localisation and spins) in highly B-doped diamonds - close or above the metal-insulator transition - on the complex material charge transport mechanisms.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BM - Fyzika pevných látek a magnetismus
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2013
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
European Physical Journal B
ISSN
1434-6028
e-ISSN
—
Svazek periodika
86
Číslo periodika v rámci svazku
10
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
9
Strana od-do
"443-1"-"443-9"
Kód UT WoS článku
000326382200004
EID výsledku v databázi Scopus
—