Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Conductivity of boron-doped polycrystalline diamond films:

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68407700%3A21340%2F13%3A00214254" target="_blank" >RIV/68407700:21340/13:00214254 - isvavai.cz</a>

  • Nalezeny alternativní kódy

    RIV/68407700:21460/13:00214254

  • Výsledek na webu

    <a href="http://link.springer.com/article/10.1140%2Fepjb%2Fe2013-40528-x" target="_blank" >http://link.springer.com/article/10.1140%2Fepjb%2Fe2013-40528-x</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1140/epjb/e2013-40528-x" target="_blank" >10.1140/epjb/e2013-40528-x</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Conductivity of boron-doped polycrystalline diamond films:

  • Popis výsledku v původním jazyce

    The resistivity of boron doped polycrystalline diamond films changes with boron content in a very complex way with many unclear factors. From the large number of parameters affecting boron doped polycrystalline diamond film?s conductivity we focused on the role of boron atoms inside diamond grains in terms of boron contribution to the continuum of diamond electronic states. Using a combination of theoretical and experimental techniques (plane-wave Density Functional Theory, Neutron Depth Profiling, resistivity and Hall effect measurements, Atomic Force Microscopy and Raman spectroscopy) we studied a wide range of B defect parameters ? the boron concentration, location, structure, free hole concentration and mobility. The main goal and novelty of our work was to find the influence of B defects (structure, interactions, charge localisation and spins) in highly B-doped diamonds ? close or above the metal-insulator transition ? on the complex material charge transport mechanisms.

  • Název v anglickém jazyce

    Conductivity of boron-doped polycrystalline diamond films:

  • Popis výsledku anglicky

    The resistivity of boron doped polycrystalline diamond films changes with boron content in a very complex way with many unclear factors. From the large number of parameters affecting boron doped polycrystalline diamond film?s conductivity we focused on the role of boron atoms inside diamond grains in terms of boron contribution to the continuum of diamond electronic states. Using a combination of theoretical and experimental techniques (plane-wave Density Functional Theory, Neutron Depth Profiling, resistivity and Hall effect measurements, Atomic Force Microscopy and Raman spectroscopy) we studied a wide range of B defect parameters ? the boron concentration, location, structure, free hole concentration and mobility. The main goal and novelty of our work was to find the influence of B defects (structure, interactions, charge localisation and spins) in highly B-doped diamonds ? close or above the metal-insulator transition ? on the complex material charge transport mechanisms.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2013

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    The European Physical Journal B - Condensed Matter

  • ISSN

    1434-6028

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    86

  • Číslo periodika v rámci svazku

    10

  • Stát vydavatele periodika

    DE - Spolková republika Německo

  • Počet stran výsledku

    10

  • Strana od-do

  • Kód UT WoS článku

    000326382200004

  • EID výsledku v databázi Scopus