Microwave characterization of dielectric substrates for thin films deposition

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00423068" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00423068 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

—

DOI - Digital Object Identifier

—

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Microwave characterization of dielectric substrates for thin films deposition

Popis výsledku v původním jazyce

A new electrode-free method is proposed for microwave characterization of low-loss single crystal and ceramic dielectric substrates used for thin films deposition. The substrate is considered and characterized as a thin dielectric resonator. Both TE01 delta and HE11 delta resonance modes were activated in the substrates with a dielectric permittivity above 10. The in-plane averaged dielectric permittivity and losses of a number of substrates were measured in a broad temperature range using the TE01 delta mode. The HE11 delta modes are proposed for the in-plane dielectric anisotropy characterization. In-plane components of anisotropic dielectric parameters of the (110) DyScO3 substrate were measured.

Název v anglickém jazyce

Microwave characterization of dielectric substrates for thin films deposition

Popis výsledku anglicky

A new electrode-free method is proposed for microwave characterization of low-loss single crystal and ceramic dielectric substrates used for thin films deposition. The substrate is considered and characterized as a thin dielectric resonator. Both TE01 delta and HE11 delta resonance modes were activated in the substrates with a dielectric permittivity above 10. The in-plane averaged dielectric permittivity and losses of a number of substrates were measured in a broad temperature range using the TE01 delta mode. The HE11 delta modes are proposed for the in-plane dielectric anisotropy characterization. In-plane components of anisotropic dielectric parameters of the (110) DyScO3 substrate were measured.

Druh

D - Stať ve sborníku

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

<a href="/cs/project/GAP204%2F12%2F1163" target="_blank" >GAP204/12/1163: Fononová a dielektrická spektroskopie multiferoik</a><br>

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název statě ve sborníku

2013 IEEE 33rd International Scientific Conference Electronics and Nanotechnology (ELNANO)

ISBN

978-1-4673-4672-6

ISSN

—

e-ISSN

—

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

17-20

Název nakladatele

IEEE

Místo vydání

New York

Místo konání akce

Kyiv

Datum konání akce

16. 4. 2013

Typ akce podle státní příslušnosti

WRD - Celosvětová akce

Kód UT WoS článku

000325186800001