Diamond films deposited by oxygen-enhanced linear plasma chemistry

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F13%3A00425742" target="_blank" >RIV/68378271:_____/13:00425742 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2013.1331" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1166/asem.2013.1331</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1166/asem.2013.1331" target="_blank" >10.1166/asem.2013.1331</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Diamond films deposited by oxygen-enhanced linear plasma chemistry

Popis výsledku v původním jazyce

Diamond thin film growth over large area is mandatory for their industrial uses. Linear antenna microwave CVD process is novel method for growing diamond film at low pressure ranges (below 100 Pa) and low plasma temperature over large areas. Step-by-stepoptimizing gas mixture (CO2 and CH4) is required for fundamental understanding of the CVD diamond growth phenomena in such novel process. We show that adding CO2 to the methane/hydrogen gas mixture increases the growth rate up to 4 times and film quality also improves, as dedicated from Raman measurements. Electronic grade diamond films are successfully grown for lower CO2 and methane content in hydrogen and fabricated solution-gated field effect transistors are fully functional.

Název v anglickém jazyce

Diamond films deposited by oxygen-enhanced linear plasma chemistry

Popis výsledku anglicky

Diamond thin film growth over large area is mandatory for their industrial uses. Linear antenna microwave CVD process is novel method for growing diamond film at low pressure ranges (below 100 Pa) and low plasma temperature over large areas. Step-by-stepoptimizing gas mixture (CO2 and CH4) is required for fundamental understanding of the CVD diamond growth phenomena in such novel process. We show that adding CO2 to the methane/hydrogen gas mixture increases the growth rate up to 4 times and film quality also improves, as dedicated from Raman measurements. Electronic grade diamond films are successfully grown for lower CO2 and methane content in hydrogen and fabricated solution-gated field effect transistors are fully functional.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2013

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Advanced Science, Engineering and Medicine

ISSN

2164-6627

e-ISSN

—

Svazek periodika

5

Číslo periodika v rámci svazku

6

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

6

Strana od-do

509-514

Kód UT WoS článku

—

EID výsledku v databázi Scopus

—