Is light-induced degradation of a-Si:H/c-Si interfaces reversible?

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00432338" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00432338 - isvavai.cz</a>

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4885501" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1063/1.4885501</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1063/1.4885501" target="_blank" >10.1063/1.4885501</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Is light-induced degradation of a-Si:H/c-Si interfaces reversible?

Popis výsledku v původním jazyce

Thin hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films deposited on crystalline silicon (c-Si) surfaces are sensitive probes for the bulk electronic properties of a-Si:H. Here, we use such samples during repeated low-temperature annealing and visible-light soaking to investigate the long-term stability of a-Si:H films. We observe that during annealing the electronic improvement of the interfaces follows stretched exponentials as long as hydrogen evolution in the films can be detected. Once such evolution isno longer observed, the electronic improvement occurs much faster. Based on these findings, we discuss how the reversibility of light-induced defects depends on (the lack of observable) hydrogen evolution.

Název v anglickém jazyce

Is light-induced degradation of a-Si:H/c-Si interfaces reversible?

Popis výsledku anglicky

Thin hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) films deposited on crystalline silicon (c-Si) surfaces are sensitive probes for the bulk electronic properties of a-Si:H. Here, we use such samples during repeated low-temperature annealing and visible-light soaking to investigate the long-term stability of a-Si:H films. We observe that during annealing the electronic improvement of the interfaces follows stretched exponentials as long as hydrogen evolution in the films can be detected. Once such evolution isno longer observed, the electronic improvement occurs much faster. Based on these findings, we discuss how the reversibility of light-induced defects depends on (the lack of observable) hydrogen evolution.

Druh

J_x - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

CEP obor

BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

OECD FORD obor

—

Projekt

—

Návaznosti

I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Rok uplatnění

2014

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

Applied Physics Letters

ISSN

0003-6951

e-ISSN

—

Svazek periodika

104

Číslo periodika v rámci svazku

25

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

4

Strana od-do

"252108-1"-"252108-4"

Kód UT WoS článku

000338515900048

EID výsledku v databázi Scopus

—