Vše

Co hledáte?

Vše
Projekty
Výsledky výzkumu
Subjekty

Rychlé hledání

  • Projekty podpořené TA ČR
  • Významné projekty
  • Projekty s nejvyšší státní podporou
  • Aktuálně běžící projekty

Chytré vyhledávání

  • Takto najdu konkrétní +slovo
  • Takto z výsledků -slovo zcela vynechám
  • “Takto můžu najít celou frázi”

Structural and electrical characterization of diamond ?lms deposited in nitrogen/oxygen containing gas mixture by linear antenna microwave CVD process

Identifikátory výsledku

  • Kód výsledku v IS VaVaI

    <a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00432440" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00432440 - isvavai.cz</a>

  • Výsledek na webu

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.176" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.176</a>

  • DOI - Digital Object Identifier

    <a href="http://dx.doi.org/10.1016/j.apsusc.2014.05.176" target="_blank" >10.1016/j.apsusc.2014.05.176</a>

Alternativní jazyky

  • Jazyk výsledku

    angličtina

  • Název v původním jazyce

    Structural and electrical characterization of diamond ?lms deposited in nitrogen/oxygen containing gas mixture by linear antenna microwave CVD process

  • Popis výsledku v původním jazyce

    In this paper we demonstrate the large area deposition of n-type conductive nanocrystalline diamond thin films on p-type Si substrates. We show that adding N2 into CH4/H2/CO2 gas mixture allows a wide controlling of diamond film morphology from micro- tonanocrystalline, blockstone-like or porous-like morphology potentially suitable for various applications. Moreover, after adding we found that the diamond films revealed a deep level with activation energy of 0.440.03 eV.

  • Název v anglickém jazyce

    Structural and electrical characterization of diamond ?lms deposited in nitrogen/oxygen containing gas mixture by linear antenna microwave CVD process

  • Popis výsledku anglicky

    In this paper we demonstrate the large area deposition of n-type conductive nanocrystalline diamond thin films on p-type Si substrates. We show that adding N2 into CH4/H2/CO2 gas mixture allows a wide controlling of diamond film morphology from micro- tonanocrystalline, blockstone-like or porous-like morphology potentially suitable for various applications. Moreover, after adding we found that the diamond films revealed a deep level with activation energy of 0.440.03 eV.

Klasifikace

  • Druh

    J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)

  • CEP obor

    BM - Fyzika pevných látek a magnetismus

  • OECD FORD obor

Návaznosti výsledku

  • Projekt

    <a href="/cs/project/GBP108%2F12%2FG108" target="_blank" >GBP108/12/G108: Příprava, modifikace a charakterizace materiálů zářením</a><br>

  • Návaznosti

    I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace

Ostatní

  • Rok uplatnění

    2014

  • Kód důvěrnosti údajů

    S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Údaje specifické pro druh výsledku

  • Název periodika

    Applied Surface Science

  • ISSN

    0169-4332

  • e-ISSN

  • Svazek periodika

    312

  • Číslo periodika v rámci svazku

    SEP

  • Stát vydavatele periodika

    NL - Nizozemsko

  • Počet stran výsledku

    5

  • Strana od-do

    226-230

  • Kód UT WoS článku

    000339998700042

  • EID výsledku v databázi Scopus