Si-related color centers in nanocrystalline diamond thin films
Identifikátory výsledku
Kód výsledku v IS VaVaI
<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F14%3A00439267" target="_blank" >RIV/68378271:_____/14:00439267 - isvavai.cz</a>
Výsledek na webu
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201451177" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201451177</a>
DOI - Digital Object Identifier
<a href="http://dx.doi.org/10.1002/pssb.201451177" target="_blank" >10.1002/pssb.201451177</a>
Alternativní jazyky
Jazyk výsledku
angličtina
Název v původním jazyce
Si-related color centers in nanocrystalline diamond thin films
Popis výsledku v původním jazyce
The successful growth of nanocrystalline diamond (NCD) thin films with optically active Si-related color centers was realized on glass and molybdenum substrates by the microwave plasma chemical vapor deposition (CVD) with focused or linear antenna plasmareactors. Diamond coatings were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, and photoluminescence (PL) spectroscopy. Increased of a-Si interlayer thickness resulted in reduction of stress in NCD film and increased renucleation ofNCD films. The PL spectra showed that the Si-color center is only observed in the focused plasma system. The influence of the substrate material as well as the a-Si interlayer on the density of Si-related color center was not confirmed in our setup.
Název v anglickém jazyce
Si-related color centers in nanocrystalline diamond thin films
Popis výsledku anglicky
The successful growth of nanocrystalline diamond (NCD) thin films with optically active Si-related color centers was realized on glass and molybdenum substrates by the microwave plasma chemical vapor deposition (CVD) with focused or linear antenna plasmareactors. Diamond coatings were characterized by Raman spectroscopy, scanning electron microscopy, and photoluminescence (PL) spectroscopy. Increased of a-Si interlayer thickness resulted in reduction of stress in NCD film and increased renucleation ofNCD films. The PL spectra showed that the Si-color center is only observed in the focused plasma system. The influence of the substrate material as well as the a-Si interlayer on the density of Si-related color center was not confirmed in our setup.
Klasifikace
Druh
J<sub>x</sub> - Nezařazeno - Článek v odborném periodiku (Jimp, Jsc a Jost)
CEP obor
BL - Fyzika plasmatu a výboje v plynech
OECD FORD obor
—
Návaznosti výsledku
Projekt
Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.
Návaznosti
I - Institucionalni podpora na dlouhodoby koncepcni rozvoj vyzkumne organizace
Ostatní
Rok uplatnění
2014
Kód důvěrnosti údajů
S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů
Údaje specifické pro druh výsledku
Název periodika
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics
ISSN
0370-1972
e-ISSN
—
Svazek periodika
251
Číslo periodika v rámci svazku
12
Stát vydavatele periodika
DE - Spolková republika Německo
Počet stran výsledku
4
Strana od-do
2603-2606
Kód UT WoS článku
000345830900047
EID výsledku v databázi Scopus
—