Ultrathin nanocrystalline diamond films with silicon vacancy color centers via seeding by 2 nm detonation nanodiamonds

Kód výsledku v IS VaVaI

<a href="https://www.isvavai.cz/riv?ss=detail&h=RIV%2F68378271%3A_____%2F17%3A00482915" target="_blank" >RIV/68378271:_____/17:00482915 - isvavai.cz</a>

Nalezeny alternativní kódy

RIV/68407700:21230/17:00315085 RIV/00216208:11310/17:10367949 RIV/60461373:22330/17:43913755

Výsledek na webu

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsami.7b14436" target="_blank" >http://dx.doi.org/10.1021/acsami.7b14436</a>

DOI - Digital Object Identifier

<a href="http://dx.doi.org/10.1021/acsami.7b14436" target="_blank" >10.1021/acsami.7b14436</a>

Jazyk výsledku

angličtina

Název v původním jazyce

Ultrathin nanocrystalline diamond films with silicon vacancy color centers via seeding by 2 nm detonation nanodiamonds

Popis výsledku v původním jazyce

Color centers in diamonds have shown excellent potential for applications in quantum information processing, photonics, and biology. Here we report chemical vapor deposition (CVD) growth of nanocrystalline diamond (NCD) films as thin as 5−6 nm with photoluminescence (PL) from silicon-vacancy (SiV) centers at 739 nm. Instead of conventional 4−6 nm detonation nanodiamonds (DNDs), we prepared and employed hydrogenated 2 nm DNDs (zeta potential = +36 mV) to form extremely dense (∼1.3 × 1013 cm−2), thin (2 ± 1 nm), and smooth (RMS roughness < 0.8 nm) nucleation layers on an Si/SiOx substrate, which enabled the CVD growth of such ultrathin NCD films in two different and complementary microwave (MW) CVD systems: (i) focused MW plasma with an ellipsoidal cavity resonator and (ii) pulsed MW plasma with a linear antenna arrangement.n

Název v anglickém jazyce

Ultrathin nanocrystalline diamond films with silicon vacancy color centers via seeding by 2 nm detonation nanodiamonds

Popis výsledku anglicky

Color centers in diamonds have shown excellent potential for applications in quantum information processing, photonics, and biology. Here we report chemical vapor deposition (CVD) growth of nanocrystalline diamond (NCD) films as thin as 5−6 nm with photoluminescence (PL) from silicon-vacancy (SiV) centers at 739 nm. Instead of conventional 4−6 nm detonation nanodiamonds (DNDs), we prepared and employed hydrogenated 2 nm DNDs (zeta potential = +36 mV) to form extremely dense (∼1.3 × 1013 cm−2), thin (2 ± 1 nm), and smooth (RMS roughness < 0.8 nm) nucleation layers on an Si/SiOx substrate, which enabled the CVD growth of such ultrathin NCD films in two different and complementary microwave (MW) CVD systems: (i) focused MW plasma with an ellipsoidal cavity resonator and (ii) pulsed MW plasma with a linear antenna arrangement.n

Druh

J_imp - Článek v periodiku v databázi Web of Science

CEP obor

—

OECD FORD obor

10302 - Condensed matter physics (including formerly solid state physics, supercond.)

Projekt

Výsledek vznikl pri realizaci vícero projektů. Více informací v záložce Projekty.

Návaznosti

P - Projekt vyzkumu a vyvoje financovany z verejnych zdroju (s odkazem do CEP)

Rok uplatnění

2017

Kód důvěrnosti údajů

S - Úplné a pravdivé údaje o projektu nepodléhají ochraně podle zvláštních právních předpisů

Název periodika

ACS Applied Materials and Interfaces

ISSN

1944-8244

e-ISSN

—

Svazek periodika

9

Číslo periodika v rámci svazku

44

Stát vydavatele periodika

US - Spojené státy americké

Počet stran výsledku

12

Strana od-do

38842-38853

Kód UT WoS článku

000415140800073

EID výsledku v databázi Scopus

2-s2.0-85033594722